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半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2024-03-02 发布于四川
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半导体器件及其制造方法.pdf

    本发明提供一种半导体器件及其制造方法，在顶层金属层的侧壁上覆盖钝化层之前，先对顶层金属层的侧壁进行氧化和/或氮化，由此在顶层金属层的侧壁和钝化层之间形成应力缓冲层，从而通过应力缓冲层对热应力的缓解作用，来改善顶层金属层侧壁和第二钝化层之间的热应力匹配问题，使顶层金属层和钝化层在相关可靠性测试过程中更不易开裂，提高器件可靠性，避免器件因开裂问题而出现电性失效的情况。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117637499A

    (43)申请公布日2024.03.01

    (21)申请号202311750456.5

    (22)申请日2023.12.19

    (71)申请人芯联集成电路制造股份有限公司

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