材料现代分析方法课件7.pptVIP

正比计数器产生脉冲大小与入射的X射线光子的能量呈正比，可与脉冲高度分析器连用，它的可分辨输入率高达106/s分离脉冲，脉冲幅值为mV级，背底低，记数效率很高，可认为没有漏计。但它对温度敏感，需要高稳定电压。盖革计数器脉冲大小与入射X光子能量无关，不能与脉冲高度分析器连用。它的分辨能力低，计数率超过600/s即有计数损失，但脉冲幅值可达1~10V。闪烁计数器：闪烁计数器是利用X射线激发某些固体物质(磷光体)发射可见荧光并通过光电倍增管放大的计数器。磷光体一般为加入少量的铊作为活化剂的碘化物单晶体(常用NaI-Tl或CsI-Tl)，一个X光子产生一次闪光，通过光电倍增管作用，在小于1μs时间内产生106~107个电子，从而在计数器输出端得到一个易检测的电脉冲。闪烁计数器在计数率小于105/s时使用没有计数损失，可与脉高分析器连用。闪烁体是掺有0.5％左右的Tl作为激活剂的NaI透明单晶体的切片，厚约1～2mm。晶体被密封在一个特制的盒子里，以防止NaI晶体受潮损坏。密封盒的一面是薄的铍片(不透光)，用来作为接收X射线的窗；另一面是对蓝紫光透明的光学玻璃片。密封盒的透光面紧贴在端窗式的光电倍增管的光电阴极窗面上，界面上涂有一薄层光学硅脂以增加界面的光导率。NaI晶体被X射线激发能发出4200埃(蓝紫色)的可见光，每个入射X射线量子将使晶体产生一次闪烁，每次闪烁将激发倍增管光电阴极产生光电子，这些一次光电子被第一级打拿极(Donor1）收集并激发出更多的二次电子，再被下一级打拿极(D2)收集，又倍增出更多的电子，如此，光电阴极发射的光电子经10级打拿极的倍增作用后，最后收集极能获得约为初始电子数目105倍的电子，从而形成可检测的电脉冲信号。光电倍增管(PMT)是一种具有极高灵敏度和超快时间响应的光探测器件。在真空管中，包括光电发射阴极(光阴极)和聚焦电极、电子倍增极和电子收集极(阳极)的器件。当光照射光阴极，光阴极向真空中激发出光电子。这些光电子按聚焦极电场进入倍增系统，通过进一步的二次发射得到倍增放大。放大后的电子被阳极收集作为信号输出。因为采用了二次发射倍增系统，光电倍增管在可以探测到紫外、可见和近红外区的辐射能量的光电探测器件中具有极高的灵敏度和极低的噪声。光电倍增管还有快速响应、低本底、大面积阴极等特点。由于闪烁晶体能吸收所有入射光子，因而在整个X射线波长范围内吸收效率都接近100%，故闪烁计数器的主要缺点是本底脉冲过高。固体计数器的光电倍增管的阴极材料为光敏金属(常用碱金属)，可能产生热电子发射而使本底过高，因此应尽量在低温下工作或用循环水冷却。闪烁计数器和正比计数器应用较广，要求准确定量时常用正比计数器。锂漂移硅计数器[可表示为Si(Li)计数器]是一种半导体计数器，具有分辨能力高、分析速度快和无计数损失的优点，但需要在低温(液氮冷却)及高真空(1.33×10-4Pa)条件下工作，使用和维修都有一定困难。位能正比计数器是一种能高速检测衍射信息的计数器，适用于各种瞬间变化过程的分析研究和测量强度很弱的衍射信息。左图为Si(Li)半导体检测器(SiSemi-conductorDetector)的基本结构。当X射线照射半导体时，由于射线量子的电离作用，能产生一些电子-空穴对，在电极间的电场作用下，电子集中在n区，空穴则聚集在p区，其结果将有一股小脉冲电流向外电路输出，本征区起着“电离箱”的作用。SSD被电离产生一对电子-空穴对所需的能量约为3.8eV，而PC约为30eV，由此可见SSD与PC相比，其能量分辨率更高。现在，Si(Li)SSD的能量分辨力可达160eV。此外，SSD的脉冲分辨时间约为10-8秒，可见SSD是性能极其优异的检测器。*硅漂移探测器(SiDraftDetector)Si(Li)SDD必须在液氮冷却条件下工作和保存，大体积的杜瓦使探测器体积庞大,很难做成多通道阵列，没有空间分辨能力；其次，此探测器的计数率较低，因此时间分辨受到限制。最近几年研制成功的硅漂移探测器(SDD)可工作在室温或-20℃，采用半导体电制冷，其体积大大被缩小，可方便地做成多通道阵列。半导体电制冷：帕尔贴效应，即当电流通过PN结时，会产生吸热或放热现象。4辐射测量电路：辐射测量电路将计数器输出的电信息处理转化为可阅读的数值或图谱形式。由脉高分析器、定标器和计数率仪组成。(1)脉高分析器：由线性放大器、上限甄别电路、下限甄别电路和反符合(反向同时)电路组成。只有脉冲高度介于上、下限甄别器之间的脉冲才能通过反符合电路，从而起到去除杂质背底的作用。下甄别器阈值称为基线，上、下甄别器阈值之差称为道宽，基线和道宽可根据要求设定和调整。⑵定标器：定标器是对由计数器直接输