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多晶清洗培训手册

第一章设备及参数简介

1.多晶清洗的概念及基本原理。

现行工艺中的多晶清洗是将去损工艺和制绒工艺

相结合的清洗工艺。工艺原理是利用HF-HNO3为反应

液在硅片表面进行各向同性腐蚀，使得硅片表面形成类

似半球形状的“凹陷”。

2.多晶清洗的设备组成。

图一图二

图三图四

清洗制绒设备每条线包括一台RENA和自动上片机

各一台，其中RENA共有六个槽体，分别为刻蚀槽、水洗槽、

碱洗槽、水洗槽、酸洗槽（）、水洗槽，最后还包括

HF+HCL

一个烘干区（如图四）。其中，刻蚀槽是形成绒面的反应槽，

图一显示为刻蚀槽主槽，生产状态下主槽内浸满药液，硅片

浸在药液中进行反应（由于反应放热，而我们工艺要求的温

度在度左右，图二为冷却柜，生产状态下药液会经过冷

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却柜进行循环，以达到降温目的）；碱洗槽的作用是去掉硅

片在刻蚀槽中的反应产物多空硅，酸洗槽的作用是去掉重金

属离子及表面氧化层，每个槽末端都带有一个风刀，其作用

是将药液吹回前一个槽以防止药液间互相污染；自动上片机

,

的作用是实现自动化上下料，以降低碎片率和人为污染。注：

酸槽、碱槽、三个水洗槽都如图三为喷淋形式，硅片并未浸

,

在药液中（酸洗槽除外虽然酸槽为喷淋式，但片子仍要求

浸在药液中）。

3.多晶清洗参数控制

我们只对经常用到的一些界面参数做简单介绍，若需要

进一步了解电机参数，请参照设备说明书。

◆刻蚀槽

（）：初始配液药液的总体积。

1Firstfillvolume

（）（）：为初始配液

2ConcentrationsofchemicalHNO3

的设浓度，单位为。

HNO3g/L

（）（）：为初始配液

3ConcentrationsofchemicalHFHF

的设浓度，单位为。

g/L

（）（）：此项是对药液使用时间的规范，要求

4QualityKg

反应掉“”的硅重新配液。

100Kg

（）（）：每反应掉

5SillconentryforreplenishHNO3Kg

（）的硅，自动填加一次。

0.050KgHNO3

（）（）：每次自动添加

6VolumeforreplenishHNO3LHNO3

的设体积。

（）（）：每反应掉（）

7SillconentryforreplenishHFKg0.050

的硅