(25)--13 电存储技术4 固态硬盘2-3998数据存储那些事儿.docVIP

上节课我们认识了固态硬盘基本构成和各部件的基本功能，这节课接着讨论固态硬盘的工作原理和性能特点。

通过上节课的学习，我们已经知道在固态硬盘中负责存储的部件是闪存芯片，闪存芯片中最小的存储单元是浮栅晶体管/存储芯片又是由一个一个存储单元构成的。那么，这些存储单元到底是如何存储信息的呢，它们的工作原理是怎样的呢？

工作原理

简单的说，固态硬盘数据的写入，就是向存储单元正向充电，改变其中的电荷数目；数据的删除，则是向存储单元反向施压，使得存储其中的电荷被释放出来；而数据的读出，则是识别存储单元中存储的电荷数目所对应的不同电压电平的过程。

关于固态硬盘的工作原理，有几个方面的问题需要进行一下说明。

第一，关于SLC、MLC和TLC工作性能的比较

上节课，咱们以停车场、停车位做比喻，帮助大家理解了单层单元、多层单元和三层单元闪存架构的区别和性能特点。现在，我们了解了闪存芯片存储单元的具体工作原理，就能对相关概念进行更深入地理解。

一般而言，对于SLC，也就是单层单元而言，存储单元中所存储电荷的电压电平超过4V，就表示“0”，如果没有充电或者电压水平低于4V，就表示“1”。由于SLC架构的每一个存储单元只需要存储1位数据，也就是说只需要判断两种状态，所以，SLC高效、稳定。

我们一起来看看这张表，由于MLC和TLC，每个存储单元分别要存储2位和3位数据，也就意味着，需要识别和区分的电压电平状态分别被细分为4种和8种，因此要准确地加载电荷并识别电压电平状态相较于SLC难度增大了很多，所以，它们的数据读写时间更长、出错概率更高、P/E次数降低、芯片使用寿命变短。

那么，什么是P/E次数呢？这个P/E次数又和固态硬盘的使用寿命有什么关系呢？要搞清楚这个问题，我们要搞明白闪存芯片的组织架构。

关于闪存芯片的组织结构

Pageblockdie

此外，为了保证MLC、TLC的寿命，控制芯片都采用了智能磨损平衡技术算法，使得每个存储单元的写入次数可以平均分摊，达到100万小时故障间隔时间(MTBF)。

我们已经证实了一个闪存单元可以储存一个还是两个比特取决于它是SLC还是MLC设备。把一群单元聚集到一起，就得到了一个page。page是您可以编程（写入）NAND闪存装置最小的结构。大部分MLCNAND闪存的每一page是4KB。

固态硬盘虽然顺序读写速度超快，但是那是只有在读写一整个大文件（如一部电影）时才能体会到它的优势，而影响我们日常使用的是硬盘的4K随机读写速度（这里的4K是4KB）。

举个例子吧：小明去一个大商场买东西，售货员问小明：“你要买什么呢？”小明说：“阿姨，我要买一台大电视！”“好的！”虽然电视很大很重，但是售货员只要跑一趟花点力气就能把大电视给小明拿过来。这就是大文件的持续读写速度。小明又说：“阿姨，我要一颗小白兔奶糖、一包辣条、一瓶可乐、一只铅笔、一个小猪佩奇、一卷卫生纸……”售货员：“#￥@%……*”这些东西虽然又轻又小，但是量多，售货员阿姨就要跑很多地方才能完成小明的请求，速度自然就慢了下来，这就是4kb随机读写。很遗憾的是我们日常使用电脑时大多都是这种小文件的随机读写。所以，我们在挑选固态的时候要重点关注硬盘的4k随机读写性能。

可以利用固态硬盘测评软件对4K读写性能进行测试。

在这里特别提出一点，就是固态硬盘分区时的4K对齐。

一个block是由许多page组成的，在英特尔的MLCSSD固态硬盘中一个block包含128pages（128pagesx4KB/page=512KB/block=0.5MB。Block是您可以擦除得最小结构。

因此，当您写入SSD固态硬盘时，您一次可写入4KB数据；但是当您从SSD固态硬盘擦除数据时，您一次不得不删除512KB。过会儿，我会进一步探讨这个问题，但现在让我们看看当您从一个SSD固态硬盘删除数据时会发生什么事情。

无论何时您将数据写入闪存，我们都会反复经历同样的编程过程。创建一个电场，电子穿过氧化物并储存电荷。擦除数据会导致同样的事情发生，但却向着相反的方向。问题是电子穿过氧化物的次数越多，就会变的越弱，最终将电压也不能再阻止电子的自由活动了。这时候，SSD固态硬盘的这个单元就发生故障了。

由于寿命有限，所以SSD固态硬盘必须非常小心地选择擦除/编程每个单元的时间和方式。请注意，您可以从一个单元里读取数据，多少次都行，这并不减少单元存储数据的能力。只有擦除/编程周期才会降低了寿命。

大约经过一万次擦除/编程周期后，MLC闪存才会最终出现那个问题。而SLC可使用十万次，这得益于它的简单设计。

此外需要注意的是，因为SSD固态硬盘没有擦除block这个概念，唯一擦除block的时候就是写入新数据的时候。如果您删除Windows里的一个文件而