(20)--10 电存储技术1 DRAM与SRAM2159数据存储那些事儿.doc

上节课，我们讲到，适用于作为存储介质的设备必须符合三条原则：第一，具备两种稳定的物理状态；第二，能够方便地检测出当前所处的状态；第三，不同的状态间能进行相互转化。当然，符合这三条原则的，不止有一类元器件。当前的存储设备主流市场，主要采用了电、磁、光三种存储技术。今天我们就先一起来了解一下电存储技术。

电存储技术的典型代表是半导体存储器SCM（SemiconductorMemory），它是利用二极管、MOS管或CMOS管等电器元件来作为存储元的，无论是选用哪种电器元件来做存储元，每一个存储元都被用来存储一位二进制码，“0”或者“1”，若干个存储元组成一个存储单元，许多许多的存储单元再加上驱动、读写等电路就构成了一个存储器。

现代的SCM，也就是半导体存储器都是采用超大规模集成电路工艺来制造的。在这里，简单地给大家介绍一下集成电路。集成电路是指把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装成具有一定电路功能的微型电子器件。按照一个芯片上所能集成的电器元件的数量多少，也就是集成度的高低，集成电路可以分为：小、中、超大、特大、巨大规模集成电路。目前，巨大规模集成电路的集成密度已经达到单个芯片上可以集成超过千万个电器元件了。现代计算机之所以能够朝着高效、微型、低成本的方向不断发展，与集成电路技术的发展是密切相关的，比如说，计算机里的控制核心\t/item/%E8%B6%85%E5%A4%A7%E8%A7%84%E6%A8%A1%E9%9B%86%E6%88%90%E7%94%B5%E8%B7%AF/_blank微处理器就是超大规模集成电路的最典型实例。

根据工作方式的不同，SCM可以分为随机存取存储器和只读存储器：

我们先来了解一下随机存取存储器。

随机存取存储器RAM，也就是RandomAccessMemory，又称为读写存储器，顾名思义，这种存储器既可以在任意时刻随机地从任一个存储单元中读取或者写入信息。根据存储单元工作原理的不同，RAM又可分为动态随机存储器和静态随机存储器。

（1）动态随机存储器缩写为DRAM，D是Dynamic，也就是动态的意思。为什么说它是动态的呢？这是因为在DRAM中，每个位存储元由1个电子管和1个电容器组成，每一个数据位也就是一个二进制码，会作为一个电荷保存在位存储单元中，利用电容存储电荷的原理来记忆信息。但，由于电容器是会漏电的，存储的电荷会逐渐减少，当减少到一定程度时，存储元中存入的信息就会消失。因此，需要在信息消失之前，周期性地给电容器充电，以确保存储其中的数据不会丢失。不间断地给电容器充电的过程被称为动态刷新，这正是把它称为“动态”随机存储器的原因，通常刷新周期为1毫秒左右。由于DRAM的集成度比较高，也就是单一芯片上，能容纳的存储单元数更多，所以，相对于静态随机存储器，它的容量较大，成本较低，通常被用作计算机的内存。

静态随机存储器简写为SRAM，S是static的缩写，也就是静态的意思。相较于DRAM，SRAM中的存储元是由多个晶体管而不是由电容器组成的，这就意味着，SRAM中的存储元不需要不间断地充电就可以正常工作，存储器中的数据在通电状态下，可以稳定地长驻其中，不需要动态刷新就能够稳定地存储数据，这就是它的名称中“静态”这两个字的由来。由于不需要刷新，而且SRAM中存储单元的寻址方式比DRAM要简单快捷，所以静态RAM比动态RAM的处理速度更快、更稳定，能耗也更小，但由于它的集成度相对较低，所以SRAM的存储容量较小、造价也较高。根据SRAM高速、低耗的特点，它往往用于做高速缓存。

那么什么是高速缓存呢？它又是用来做什么的呢？

要回答这个问题，我们先来回顾一下上节课介绍的计算机的存储体系结构图，这是一个金字塔型的结构，越是尖端的位置就越靠近CPU，数据存取速度也就越快。在这张结构图上，最尖端的存储产品就是内存，作为内存的主力军——DRAM，从同步的SDRAM，到双倍速率的DDR、四倍速率的DDR2、八倍速率的DDR3，再到2015年左右形成主流市场的DDR4，再到大约在2019年底就可能实现大规模量产的DDR5，动态随机存储器在变得更快更强的道路上不断前进。但是，内存技术在不断发展，CPU的核心技术也在不断发展，内存的数据存取速度仍然赶不上CPU的数据处理速度，也就是说，内存与CPU之间存在着速度不匹配的问题。这就意味着，在CPU向内存输出指令等待内存反馈数据的过程中，可能早就完成了自己的工作，却不得不因为内存较慢的处理速度而长时间等待，从而导致宝贵的CPU运算资源被浪费。

那么，可以怎样来解决这个问题呢？

我们可以设想一个这样的场景：你到餐馆去点餐。此时，你是高速的CPU，三十秒的时间就快速地下达