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MOSFET的短沟道效应3

第8章MOSFET的短沟道效应

MOSFET的沟道长度小于3um时发生的短沟道效应较为明显。短沟道效应是由以下五种因素引起的，这五种因素又是由于偏离了理想按比例缩小理论而产生的。它们是：

由于电源电压没能按比例缩小而引起的电场增大；

内建电势既不能按比例缩小又不能忽略；

源漏结深不能也不容易按比例减小；

衬底掺杂浓度的增加引起载流子迁移率的降低；

亚阈值斜率不能按比例缩小。

亚阈值特性

我们的目的是通过MOSFET的亚阈值特性来推断阈值电压到底能缩小到最小极限值。

对于长沟道器件而言，亚阈值电流由下式给出

W ? V ?V ?? ?V ?

ttI ? ?CV2?exp GS T??1?exp DS??(8.1)

t

t

D L n

d t ?

?V ?? V ?

也可以写成如下的形式

I ?W?

? V ?V ?? ?V ?

ttCV2?exp GS T??1?exp DS?

t

t

D L n

d t ? ?V ?? V ?

? V ?? ?V ?

?I ?exp

D0?

GS??1?exp

?tV??

?

t

DS??(8.2)

?V

?

t

式中的C为单位面积耗尽区电容。

d

? ?

2?2?s fpqNa

2?2?

s fp

qN

a

s

d x

?qN

?? s a (8.3)

?

4

d fp

V?kT

t q

是热电压，??1?C

d

/C ，在V

ox DS

大于几个热电压时有

I ?W?

? V ?V

CV2?exp GS T

?

??......(8.4)

?

?D L n

?

d t ?V

t

对上式两边取对数

? ? ?W?

? V ?V

2

ln I ?ln?

CV ?? GS T (8.5)

D ?L n

d t ? ?V

t

上式也可以写成

? ?

? I ? V ?V

Wln? D

W

? ?C

?L n

??

V2?

d t ?

G?SV

t

T (8.6)

从式（8.4）中可以看出，当V ?V

GS T

?0时，即当栅－源

电压等于亚阈值电压时有亚阈值电流：

I ?V ?V

D GS T

?0??W?

L

CV2 (8.7)

n d t

为了使V

GS

?V 时，器件可以关断，我们可以令（8.4）

T

中的V

GS

?0，则有

I ?V

?0??W?

? ?V

?CV2?exp T

?

?

??......(8.8)

?

D GS

L n d t ?V

t

如果规定关断时（当V ?0）的电流比在（当V ?V）的

GS GS T

电流小5个数量级，式(8.7)和式(8.8)的两边相除则有

I ?V ?V ?0??V

??D GS T

?

?

I V ?0

D GS

?exp T ?105 (8.9)

?V

t

得到亚阈值电压的最小值为

V ?5?V

T t

ln10. (8.10)

如果??1?C /C ?1?0.76?1.76则亚阈值电压的最小值是

d ox

V ??V5ln10?5?1.67?26mV?2.3?500mV。

T t

如果还想将阈值电压降低到400mV左右，那么就要减

小??1?C /C 的值，使??1?C /C ?1.34。

d ox d ox

考虑到温度对阈值电压的影响，按比例缩小阈值电压

T将更加困难。阈值电压的温度系数dV

T

dT

??1mV/。K

。导致

阈值电压在温度范围（0－85℃）内的变化是85mV。

制造工艺引起的最小变化也在50mV之间。工艺和温度引起的变化合计为135mV左右。因此，对增强型的MOS

器件其阈值电压一般都控制在0.5V?V

T

?0.9V之间。

短沟道效应使阈值电压减小

对理想MOSFET器件，我们是利用电荷镜像原理导出阈值电压的表达式。见下图。

Q ?Q

mT ss

?Q

SD

?max?

?8.11?式中忽略了沟道中的反型层电

荷密度 ，Q Q

荷密度 ，

?max??eNx 为最大耗尽层单位面积电荷

n SD adT

密度。这个电荷密度都由栅的有效面积控制。并忽略了由于源/漏空间电荷区进入有效沟道区造成的对阈值电压值产生影响的因素。

图8.2a显示了长沟道的N沟MOSFET的剖面图。在平带的情况下，且源－漏电压为零，源端和漏端的空间电荷区进入了沟道区，但只