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本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种光敏三极管的制备方法，其包括下列步骤：在外延结构上生成第一氧化层；刻蚀第一氧化层，以在外延结构上形成P型窗口区；在外延结构和第一氧化层上沉积P型杂质源，并形成第二氧化层；对第一氧化层和第二氧化层进行刻蚀，以形成N型窗口区；在第一氧化层、第二氧化层和外延结构上沉积PSG钝化层，然后进行高温氧化推进处理，以形成P型区和N型区；PSG钝化层中含有N型杂质源；对位于P型区和N型区处的PSG钝化层进行刻蚀，以得到欧姆接触孔；在欧姆接触孔处形成电极结构。借此设置，可
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117690994A
(43)申请公布日2024.03.12
(21)申请号202311571379.7
(22)申请日2023.11.23
(71)申请人天津三安光电有限公司
地址30
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