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半导体结构及制备方法.pdfVIP

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  • 2024-03-13 发布于四川
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半导体结构及制备方法.pdf

    本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及制备方法，半导体结构包括：基底，所述基底上具有多个间隔排布的有源柱；栅介质层，所述栅介质层位于所述有源柱的部分侧面；栅导电层，所述栅导电层位于所述栅介质层的侧面，所述栅导电层包括第一导电层以及第二导电层，所述第一导电层与所述栅介质层侧面相接触，所述第二导电层位于相邻的所述有源柱之间，所述第一导电层位于所述栅介质层与所述第二导电层之间，所述第二导电层环绕所述第一导电层的侧面设置。本公开实施例提供的半导体结构及制备方法至少可以提升字线的控制能力。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117690956A

    (43)申请公布日2024.03.12

    (21)申请号202211020450.8

    (22)申请日2022.08.24

    (71)申请人长鑫存储技术有限公司

    地址23

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