微细加工技术课件.pptx

其他微細加工技術;一、化學刻蝕

;側面刻蝕”或“鑽蝕”;由於存在側面刻蝕，使刻蝕成的窗口常比光刻膠窗口尺寸大些。為了修正，就要從設計值中減去刻蝕餘量。刻蝕餘量的大小與被加工材料、刻蝕液的種類及被加工材料的厚度等許多因素有關，須用實驗來確定。側面刻蝕越小，刻蝕係數越大，則刻蝕部分的側面越陡，因此產品尺寸的精度就越穩定。;雙面刻蝕;刻蝕的方式對於刻蝕係數有很大的影響。靜止的刻蝕液，因循環不善，故反應也遲鈍。如果用一定壓力進行噴吹，則因反應面上刻蝕液的供給狀況獲得改善而使刻蝕的速度提高，則刻蝕係數也相應增加。因此：最近廣泛使用一種用泵加壓，使刻蝕液以噴嘴噴出的噴霧刻蝕機。在這類機械中加工材料有垂直夾持的，也有水準夾持的，兩者都能從兩面噴射刻蝕液，而且噴射時噴嘴作扇狀擺動，以便對全部加工面進行均勻的刻蝕。;2．電解化學刻蝕;3．剝膜與精整

;二、化學拋光

;;設金屬板M浸泡在拋光液中。由於材料的不均勻會引起局部電位的高低不一，從而形成局部短路的微電池，使陽極發生局部溶解。在這種情況下，被放出來的電子通過金屬內部流到陰極，參與陰極反應(圖中的I)。若把金屬板通過外接電源和另外的金屬板C靠近接在一起，並升高陽極M的電位，則M中的局部陰極區便逐漸減少(圖中的II)，直至完全消失(圖中的III)。這時，金屬板M作為單一陽極使用的狀況就相當於電解拋光。無論是一般的化學拋光或是電解拋光，由於工藝條件及材料本身的影響，都可能像圖中的II那樣的狀態下進行拋光。在材料質地極不均勻的情況下進行電解拋光時，也會出現陽極局部溶解，而在化學拋光時由於短路電池的作用，卻能減少局部陰極的影響，但化學拋光時不能完全去除陰極反應的影響，這是化學拋光效果要比電解拋光效果差的原因之一。;2．化學拋光的條件;(2)拋光時間;3.金屬的化學拋光;用作溶解金屬的成分一般是酸，其中用得較多的是H2S04、HN03、HCl、H3P04和HF等強酸，而對鋁那樣的兩性金屬也有用Na0H的。在這些酸中由於高濃度的磷酸及硫酸都有較高的粘度，有形成液體膜擴散層的作用，故用這一種成分也具??兩種功能。這是化學拋光液的組成中，重視採用硫酸或磷酸的理由。為了提高粘度而使擴散層容易形成，可以加進像明膠或甘油之類的提高粘度的添加劑。為了促進固體膜的形成，則可加入以硝酸或鉻酸為首的強氧化劑。;4．半導體的化學拋光;關於Ge(鍺)和Si(矽)的化學拋光，採用的是HF和HNO3的混合液，並以種種不同的濃度和混合比來使用，其中最常用的配方是：硝酸25ml，氫氟酸15mL，冰醋酸15ml。有時在上述的配方中還加進0．3mL的溴。對於GaAs(砷化鎵)或GaP(磷化鎵)、InSb(銻化銦)等III—V族化合物半導體的化學拋光，是將C12(氯)或Br(溴)等溶進甲醇及冰醋酸等有機液體中。這樣製成的拋光液是很有效的，但對於Si或Ge卻不大有效。對上述兩種材料均有較好拋光效果的是NaCl或H2O2十NH4OH的水溶液。

;利用浸泡拋光液進行拋光所得的表面不十分平坦，特別是使基片的拐角變圓滑。為了消除這些缺點，採用旋轉拋光盤的方式進行拋光;第二節電化學的微細加工;一、電鑄加工

;1電鑄加工的原理

;2電鑄加工的特點;;二、電解拋光

;1.拋光的機理

;2．金屬和半導體的電解拋光;半導體的電解拋光是去除由機械拋光留下的表面缺陷層的最終加工方法。電解拋光比化學拋光費事，但效果好。電解拋光主要有噴射法和旋轉拋光盤法兩種。噴射法的拋光速度很高，可達100～500μm／min。由於半導體的拋光是通過陽極溶解而使空穴消失的，因此在對n型半導體進行電解拋光時，用強光源從外部對拋光區進行照射而使其產生空穴。

;旋轉拋光法是將旋轉的平板狀圓盤作為陰極，把被拋光的材料作為陽極，並使其靠近和夾持在圓盤的周邊部分進行電解拋光的方法。陰極圓盤有許多各種各樣形狀的孔或槽，這些孔或槽用於去除極間積存的氣體並對電解液產生攪拌作用。採用這樣的拋光法，能獲得±0．005μm的光潔表面和0．5μm的平面度，並能得到完全沒有缺陷的拋光面。

;第三節粒子束的微細加工;化學加工(電子束光刻);電子束加工裝置;二、離子束微細加工

;三、分子束和原子束加工;第四節超聲波微細加工

;超聲波在微細加工中的應用;超聲波焊接

;微細加工中的薄膜技術;根據沉積膜要完成的主要功能進行分類最為方便。有些沉積膜的功能屬於電子學的性質，有些沉積膜則是屬於工藝上的要求。一些不同類型的膜用作絕緣保護層，在其上面佈線互連；有的沉積膜製成掩膜，用作擴散或離子注入；有的膜本身起摻雜作用；還有的沉積膜使工藝過程大大簡化，如MOS積體電路的自對準柵極工藝。

許多薄膜以及薄膜的組合，可以用來形成歐姆接觸以及積體電路器件之間的互連。有些膜還可以完成器件的功能，如在