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自支撑GaN衬底的研究的任务书

任务名称：自支撑GaN衬底研究

任务背景：GaN是一种重要的半导体材料，在高功率电子器件、光电器件等领域具有广泛应用。目前GaN衬底的制备主要基于外延法及离子召唤法。外延法的优点在于制备的GaN薄膜质量高，缺点在于晶格匹配不好，不能制备大面积的GaN衬底。离子召唤法的优点在于可制备大面积GaN衬底，缺点在于制备的GaN薄膜质量差。因此，开发一种新的自支撑GaN衬底制备方法具有重要意义。

任务目标：开发一种新型自支撑GaN衬底制备方法，研究该方法制备的GaN衬底的物理性质及应用潜力。

任务内容：

1.研究自支撑GaN衬底制备方法，包括可控氧化物法、水热法等；

2.研究不同制备方法对制备GaN衬底质量的影响，并确定最佳的制备工艺参数；

3.研究制备的GaN衬底的物理性质，包括晶体结构、缺陷性质、电学性质等；

4.研究制备的自支撑GaN衬底在高功率电子器件、光电器件等领域的应用潜力；

5.撰写年度研究计划、研究报告、论文等相关文献。

任务进度安排：

第一年：研究自支撑GaN衬底制备方法及工艺参数的优化，并初步研究制备的GaN衬底的物理性质。

第二年：深入研究制备的GaN衬底的物理性质，并初步探究其在高功率电子器件、光电器件等领域的应用潜力。

第三年：进一步研究制备的GaN衬底的物理性质及其在各个领域的应用潜力，并完成研究报告及论文的撰写和论文发表。

任务预算：

本任务总预算为200万元，主要包括研究人员薪酬、实验设备、实验耗材、差旅费、出版费等。其中，实验设备预算为80万元，实验耗材预算为20万元，人员薪酬预算为60万元，差旅费预算为20万元，出版费预算为20万元。预计每年的预算为66.67万元。