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1.具有优化倍增层的InAlAs/InGaAs雪崩光电二极管

登录号:20220811698547

译名:InAlAs/InGaAs

作者:顾，于强(1，2)；谭、明②；吴，袁——袁②；鲁、建亚②；李雪飞(1，2)；陆，舒龙(2)作者单位:(1)中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生研究所，合肥；230026，中国；(2)中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件及应用重点实验室，苏州；215123，中国

通讯作者:陆、)

来源标题:洪崴俞浩米波雪宝/红外与毫米波杂志

缩写源标题:红外雨好米波雪宝

体积:40

问题:6

发行日期:2021年12月

出版年份:2021年

页数:715-720语言:英语ISSN:码:HHXUEZ

文档类型:期刊文章(JA)

出版者:中国光学学会

摘要:通过优化倍增层，研究了InAlAs/InGaAs雪崩光电二极管(APD)的增益带宽积(GBP)和暗电流之间的平衡。提出了200nm的优化倍增层以提高GBP并降低暗电流。所制备的InAlAs/InGaAsAPD表现出了与计算结果一致的优异性能。在1.55米处获得了0.85A/W(M=1)的高响应度和155GHz的高GBP，而在0.9Vb处暗电流低至19nA。该研究对雪崩光电二极管未来的高速传输应用具有重要意义。2021，