第三代半导体及氮化镓(GaN)材料分析_李杰 (1).pdfVIP

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  • 2024-04-02 发布于四川
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第三代半导体及氮化镓(GaN)材料分析_李杰 (1).pdf

创新应用Applications

第三代半导体及氮化镓(GaN)材料分析

李杰,王友旺

(深圳深爱半导体股份有限公司,广东518000)

摘要:阐述第三代半导体及氮化镓(GaN)材料制备工艺,以及第三代半导体在全球和国内的发展情况,

分析氮化镓(GaN)材料的特征和氮化镓半导体材料的应用,包括在通信系统、功率半导体、军事用途、

电子学中的应用。

关键词:第三代半导体,碳化硅(SiC),氮化镓(GaN)。

中图分类号:TN303,TN304文章编号:1674-2583(2023)10-0326-03

DOI:10.19339/j.issn.1674-2583.2023.10.151

文献引用格式:李杰,王友旺.第三代半导体及氮化镓(GaN)材料分析[J].集成电路应用,2023,40(10):

326-328.

AnalysisofThirdGenerationSemiconductorand

GalliumNitride(GaN)Materials

LIJie,WANGYouwang

(ShenzhenShenaiSemiconductorCo.,Ltd.,Guangdong518000,China.)

Abstract—Thispaperdescribesthepr

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