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1.基于BCD技术的光电集成单光子雪崩光电二极管及前端电路的研制

登录号:20211410160055

翻译名称:BCD

作者:石，肖峰(1)；庞、薛①；朱、李军(2)；张新宇(1)；张、袁①；韩、博①；李，佩君(1)；郭、博①；程、项(2)

作者隶属关系:(1)阜阳师范学院计算机与信息工程学院，阜阳；236037，中国；(2)厦门大学航天工程学院，厦门；中国361102

通讯作者:程、)

来源标题:广学精米工程/光学与精密工程

缩写源标题:广学京密功成

体积:29

问题:2

发行日期:2021年2月

出版年份:2021年

页数:267-277语言:中文ISSN:1004924X代码:GJGOF4

文档类型:期刊文章(JA)

出版社:中国科学院

摘要:提出了一种基于双极型CMOSDMOS(BCD)技术的用于微弱光信号检测的单光子雪崩光电二极管(SPAD)和前端猝灭复位电路(QRC)。为了降低边缘击穿的风险并提高响应度，设计了具有P+/n阱/深n阱(DNwell)结构的圆形SPAD。在深阱和衬底之间形成的pn结可以有效地降低

暗电流从P衬底流向雪崩区。它还可以降低暗计数率，确保小的纵向通过时间，并提高响应速度。同时，p阱保护环被

旨在增加器件的击穿电压。使用SILVACO对器件进行二维模拟，然后将提出的结构与传统的P+/n阱和P+