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2024-03-27 发布于四川
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一种半导体结构的制备方法.pdf

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本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法，制备方法包括：提供晶圆，晶圆包含第一区域和第二区域，第一区域位于晶圆的边缘，第二区域位于晶圆的中间区域且被第一区域围绕，第三区域包含邻近第二区域的部分第一区域和/或邻近第一区域的部分第二区域。在晶圆上形成堆叠层，堆叠层覆盖第一区域和第二区域；形成第一阻挡层，第一阻挡层覆盖第一区域和第三区域；对位于第二区域的堆叠层执行第一刻蚀工艺，以形成目标结构；在目标结构上形成第一材料层，第一材料层至少覆盖目标结构的表面；形成第二阻挡层，第二阻挡层覆盖第一区域和第三区

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117769249A

(43)申请公布日2024.03.26

(21)申请号202311841722.5

(22)申请日2023.12.27

(71)申请人长鑫科技集团股份有限公司

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