半导体集成电路 低功耗双倍数据速率同步 动态随机存储器（LPDDR5）应用场景测试方 法.pdfVIP

ICS31.200

CCSL56

团体标准

T/CESAXXX—202X

半导体集成电路低功耗双倍数据速率同步

动态随机存储器（LPDDR5）应用场景测试方

法

Semiconductorintegratedcircuits-

Testmethodsforthe5thLowPowerDoubleDataRateSDRAMinapplication

scenario

征求意见稿

在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。

已授权的专利证明材料为专利证书复印件或扉页，已公开但尚未授权的专利申请

证明材料为专利公开通知书复印件或扉页，未公开的专利申请的证明材料为专利申请

号和申请日期。

2023-XX-XX发布2023-XX-XX实施

中国电子工业标准化技术协会发布

T/CESAXXXX—202X

半导体集成电路低功耗双倍数据速率同步动态随机存储器（LPDDR5）

应用场景测试方法

1范围

本文件规定了LPDDR5SDRAM芯片在消费级、工业级和汽车级三种应用场景条件下的测试项、测试条

件，描述了相应的测试方法。

本文件适用于LPDDR5SDRAM产品选型测试。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T2323.63-2019环境试验第2部分:试验方法试验:温度(低温、高温)/低气压/振动(混合模式)

综合

GB/T2423.1-2008电工电子产品环境试验第2部分∶试验方法试验A∶低温

GB/T2423.2-2008电工电子产品环境试验第2部分∶试验方法试验B∶高温

GB/T2423.3-2006电工电子产品环境试验第2部分∶试验方法试验Cab:恒定湿热试验

GB/T2423.4-2008电工电子产品环境试验第2部分∶试验方法试验Db:交变湿热(12h+12h循环)

GB/T2423.50环境试验第2部分:试验方法试验Cy恒定湿热主要用于元件的加速试验

GB/T5170.1-2008电工电子产品环境试验设备检验方法总则

GB/T10586-2006湿热试验箱技术条件

GB/T10592-2008高低温试验箱技术条件

GB/T17574—1998半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路

JESD209-5B第5代低功耗双倍速率同步动态随机存储器（LowPowerDoubleDataRate(LPDDR)5/5X）

JESD22-A101D稳态温度湿度偏差寿命测试（SteadyStateTemperature-HumidityBiasLife

Test）

AEC-Q100-REV-H基于集成电路应力测试认证的失效机理（FAILUREMECHANISMBASEDSTRESSTEST

QUALIFICATIONFORINTEGRATEDCIRCUITS）

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

双倍数据速率doubledatarate;DDR

在单个时钟周期内的时钟上升沿和下降沿分别采样数据的数据传输技术。

3.2

同步动态随机存取存储器synchronousdynamicrandomaccessmem