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一种实现GaN HEMT器件低温无金欧姆接触的方法.pdfVIP

一种实现GaN HEMT器件低温无金欧姆接触的方法.pdf

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    本发明公开了一种实现GaNHEMT器件低温无金欧姆接触的方法，属于半导体技术领域，包括提供衬底，在衬底上依次形成缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层和AlGaN势垒层，在GaN沟道层和AlN插入层之间形成有二维电子气沟道；利用ICP干法刻蚀工艺形成器件隔离区域；利用光刻技术在外延片表面定义源漏刻蚀图形区域；采用ICP慢速刻蚀工艺将源漏刻蚀图形区域的AlGaN势垒层完全刻蚀去除，剩余0.5nm的AlN插入层；淀积欧姆金属，通过剥离工艺形成源漏电极，并进行低温退火处理形成欧姆接触；本发明通过采用IC

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117766391A

    (43)申请公布日2024.03.26

    (21)申请号202311795142.7H01L29/778(2006.01)

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