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本发明提供一种氮气等离子改性的单质硅粉体的制备方法，其包括以下步骤：将微米级单质硅粉体置于等离子体设备腔室内，调整电极使得两端的正负极保持间距，除去腔室内的空气，再向腔室内通入氮气；待等离子体设备腔室内压力稳定后，打开高压放电源以稳定产生氮气等离子体气氛，并在该气氛下进行等离子体单质硅粉体的氮气等离子体改性处理，处理结束后，得到所述氮气等离子改性的单质硅粉体。采用本发明制备得到的氮气等离子体改性的单质硅粉体作为填料掺入环氧树脂中制成复合涂层，可以明显提高涂层的耐腐蚀性能，有较好的经济效益。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117756117A
(43)申请公布日2024.03.26
(21)申请号202311383518.3
(22)申请日2023.10.24
(71)申请人南京理工大学
地址210000
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