原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明公开了一种MPCVD设备钼托清洁方法，其包括：将待清洁钼托置于MPCVD设备中；启动MPCVD设备，并通入氢气与氧气，以产生氢氧等离子体对待清洁钼托表面的沉积物进行刻蚀处理；降低待清洁钼托的表面温度，并关闭MPCVD设备；将待清洁钼托从MPCVD设备中取出，并对待清洁钼托表面的沉积物进行剥离处理。本发明通过将待清洁钼托放置在反应腔内，其后通过对通入的氢气与氧气起辉激发以产生氢氧等离子体进而对待清洁钼托表面的沉积物进行刻蚀，再通过降温处理，可以降低沉积物和钼托表面的结合力，因而可以轻易地将沉
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117778993A
(43)申请公布日2024.03.29
(21)申请号202311853293.3
(22)申请日2023.12.28
(71)申请人深圳优普莱等离子
文档评论（0）