采用紫外可见光谱法求取禁带宽度.pptVIP

三关于K值大小对结果的影响第32页,共36页，2024年2月25日，星期天同一组数据在不同的处理方法下得到的Eg.以下也是这一组数据的处理第33页,共36页，2024年2月25日，星期天第34页,共36页，2024年2月25日，星期天第35页,共36页，2024年2月25日，星期天感谢大家观看第36页,共36页，2024年2月25日，星期天关于采用紫外可见光谱法求取禁带宽度一半导体禁带求导公式第2页,共36页，2024年2月25日，星期天通常(ahv)?是有单位的，(eV)1/2.cm-1/2或(eV)1/2.cm-1/2。由上述公式可知，（ahv）1/2和(ahv)2只与hv成线性关系，能用于估算Eg。由朗伯-比尔定律知，A=abc，a是吸光系数，b是比色皿或者薄膜样品厚度，c是浓度。b，c是固定值，a=A/bc=A/K。禁带公式可写成如下形式：第3页,共36页，2024年2月25日，星期天第4页,共36页，2024年2月25日，星期天K值的大小对Eg没有影响，以hv为横坐标，以或为纵坐标，作图，再做切线，即可得到Eg。hv用1024/波长代替。前者为直接半导体禁带宽度值，后者为间接半导体禁带宽度值。A(Absorbance)即为紫外可见漫反射中的吸光度。第5页,共36页，2024年2月25日，星期天Kubelka-Munk公式A=-lg(R)（1）F(r)=(1-R)2/2R=a/s（2）R为反射率,a吸收系数，s反射系数求禁带宽度：利用第一个公式求每个吸光度对应的R，用E＝1240/波长，做横坐标，利用第二个公式求F（R），再用做纵坐标，做图，再做切线，即得带隙图谱

第6页,共36页，2024年2月25日，星期天二求半导体禁带实例将紫外可见分光漫反射数据导入到excell，然后进行数据处理，下面用第一个公式进行数据处理：第7页,共36页，2024年2月25日，星期天第8页,共36页，2024年2月25日，星期天第9页,共36页，2024年2月25日，星期天第10页,共36页，2024年2月25日，星期天下面用Kubelka-Munk公式处理：第11页,共36页，2024年2月25日，星期天第12页,共36页，2024年2月25日，星期天第13页,共36页，2024年2月25日，星期天三关于K值大小对结果的影响第14页,共36页，2024年2月25日，星期天同一组数据在不同的处理方法下得到的Eg.以下也是这一组数据的处理第15页,共36页，2024年2月25日，星期天第16页,共36页，2024年2月25日，星期天第17页,共36页，2024年2月25日，星期天由上图可见，密度，厚度等因素影响K的大小，但并不影响所求的Eg.第18页,共36页，2024年2月25日，星期天由UV-vis光谱求样品的Eg第19页,共36页，2024年2月25日，星期天一半导体禁带求导公式第20页,共36页，2024年2月25日，星期天通常(ahv)?是有单位的，(eV)1/2.cm-1/2或(eV)1/2.cm-1/2。由上述公式可知，（ahv）1/2和(ahv)2只与hv成线性关系，能用于估算Eg。由朗伯-比尔定律知，A=abc，a是吸光系数，b是比色皿或者薄膜样品厚度，c是浓度。b，c是固定值，a=A/bc=A/K。禁带公式可写成如下形式：第21页,共36页，2024年2月25日，星期天第22页,共36页，2024年2月25日，星期天K值的大小对Eg没有影响，以hv为横坐标，以或为纵坐标，作图，再做切线，即可得到Eg。hv用1024/波长代替。前者为直接半导体禁带宽度值，后者为间接半导体禁带宽度值。A(Absorbance)即为紫外可见漫反射中的吸光度。第23页,共36页，2024年2月25日，星期天Kubelka-Munk公式A=-lg(R)（1）F(r)=(1-R)2/2R=a/s（2）R为反射率,a吸收系数，s反射系数求禁带宽度：利用第一个公式求每个吸光度对应的R，用E＝1240/波长，做横坐标，利用第二个公式求F（R），再用做纵坐标，做图，再做切线，即得带隙图谱

第24页,共36页，2024年2月25日，星期天二求半导体禁带实例将紫外可见分光漫反射数据导入到excell，然后进行数据