MiniLED在芯片封装与基板上的新技术.docxVIP

MiniLED是指尺寸在100微米量级的LED芯片，尺寸介于小间距LED与MicroLED之间，MiniLED是小间距LED尺寸继续缩小的结果。MiniLED技术成熟、量产可行，有望在中高端液晶显示屏背光、LED显示得到大规模应用，特别是电视、笔记本、显示器等领域

什么是?SMD，COB，IMD

想要明白三者之间的联系与区别，就要先解决“是什么”的问题。首先，作为三种封装技术路径，最简单的理解就是集成的芯片封装数量不一样。

简单来说，SMD属于分立器件，而COB属于集成封装芯片，而IMD则可以理解为一种高速贴片的小型集成封装。不同于SMD与COB，IMD是集成了两种技术路径优势的新生代产品，最重要的是，无论颜值还是才华，都可以满足当下的市场需求

MinLED芯片：仅需通过优化工艺来提升良率和产量即可实现从常规尺寸到Mini尺寸的跨越

LED芯片制造的流程包含前道外延片制造、中道磊晶和后道晶片切割，涉及具体流程多达数十项，制造难度比较高。

但因LED产业多年发展，传统LED芯片制造设备与工艺已经较为成熟，且MiniLED对切割精度和转移设备的要求还未达到MicroLED那么严苛的程度，因此MiniLED芯片制造难度相对MicroLED较低，芯片厂仅需通过优化工艺来提升良率和产量即可实现从常规尺寸到Mini尺寸的跨越。

在转移技术的方面上，相比MicroLED，MiniLED有比较大的尺寸和更加硬质的衬底。

因此其转移过程有更高的精度容忍度和更多的灵活性。

目前主流的厂商都有开发MiniLED有关的转移技术，包含以下3种方案：

1）方案一是对现有的抓取设备进行改进，通过设置多个的手臂来增加拾取和放置的效率。这种方案技术难度较低，因此更容易实现量产，不过其存在产能上的限制，无法实现数量级上的增加。

2）方案二是将芯片和背板相对放置，再使用顶针将芯片顶出，从而放置于基板上。相比于方案一，这种方案减免了摆臂的反复移动，从而提升了转移效率。而且，若芯片在蓝膜上放置位置同最终背板的控制电极位置一致，再配合多顶针，即可实现巨量转移，从数量级上提升转移效率。

3）方案三类似于方案二，芯片放置于UV膜上，通过UV光把LED芯片选择性地转移到背板上。该方案能实现真正的巨量转移，但是对芯片分选及其在UV膜上的摆放精度有较高的要求。

MinLED封装：全倒装+COB的新封装趋势

LED封装技术正在经历从传统的支架型封装（如SMD技术）向新型无支架型集成封装（如COB技术）的过渡。传统的LED封装技术主要为SMD（SurfaceMountedDevices）技术，意为表面贴装器件。

SMD技术采用平面支架+点胶成型，并用表面贴装技术进行组装，采用合金铜材质扁平引脚，可组装在铝基板或PCB上。其工艺流程包括固晶、焊线、成型、切割、分光和带装入库。

SMD技术在最小可以做到稳定像素间距在1.2~1.5mm区间范围，其拥有技术成熟稳定、制造成本低、散热效果好和维修方便等优势，是十分成熟的LED封装技术。

但是，随着LED向Mini/Micro方向发展，SMD技术应用慢慢开始受限了。而技术防护等级低、寿命短等缺陷就开始暴露出来了，尤其是制造像素间距P1.2以下的显示产品，SMD封装技术已开始出现很多没法克服的技术限制。如SMD技术没办法满足到MiniLED显示产品时候的面板级像素失控率的要求。

COB（ChipOnBoard）封装技术是1种没有支架型集成的封装技术，这1种技术可以通过把LED芯片贴装在PCB板上面，在PCB板的一面做个无支架引脚的COB高集成度像素面板级的封装，在PCB板的另一个面布置驱动IC器件，而且不用任何的支架与焊脚。

跟传统的SMD技术比起来，COB技术能够更加显降低LED显示面板的像素失效的劣势，与此同时还能做到更加小的点距，拥有更加高排列密度。

因此COB技术可以显著提升LED显示屏系统的像素密度和整体可靠性，为LED显示的4K、8K超高清视频显示产品、MiniLED显示产品提供底层高阶面板制造技术，是目前LED显示走向百万级的优势。

图1：传统SMD封装和COB封装对比图

除了COB技术外，封装端还创新性的引入了倒装工艺来实现更高发光效率、排列密度和可靠性。

传统的正装技术存在着电极遮挡影响发光效率以及焊线较多工艺流程复杂等缺点。而倒装技术通过将芯片倒置，使发光层激发出的光直接从电极的另一面发出，在封装工艺上实现无电极遮挡、无焊线，因而可以最大程度提高发光面积、散热面积，并能够避免金属虚焊和接触不良引起的问题。同时，无焊线还可以提升芯片排列密度，助力LED进一步提升显示像素密度。

目前在1.2mm以上像素间距范围，还可以使用正装芯片，在1.2-0.7mm像素间距范围内，有红光正装、