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本申请实施例属于存储设备技术领域，具体涉及一种存储阵列及其制作方法、存储器、电子设备及读写方法。本申请实施例旨在解决存储阵列数据读取较慢的问题。本实施例提供的存储阵列、存储阵列制作方法及读写方法，器件层包括层叠设置的第一电极层、第一隔离层以及电极板，各第一电极层之间电连接。在数据读取时，可以向第一电极层和栅极柱供电，即可使栅极柱与各器件层形成的各存储晶体管均处于可读取数据的状态，此时通过电极板即可读取该电极板对应的存储晶体管内的数据，无需使栅极柱与各器件层形成的各存储晶体管均处于开启状态，提高了
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117794247A
(43)申请公布日2024.03.29
(21)申请号202211153886.4
(22)申请日2022.09.21
(71)申请人华为技术有限公司
地址5181
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