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2024-03-30 发布于四川
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半导体结构的形成方法.pdf

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一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；形成若干沿第一方向平行排列的有源区和位于有源区上的初始浮栅极结构，所述衬底包括若干所述有源区，所述第一方向平行于衬底表面；在初始浮栅极结构侧壁表面和顶部表面形成介电结构；形成介电结构之后，在初始浮栅极结构内和介电结构内形成若干凹槽，所述凹槽沿第一方向贯穿若干所述初始浮栅极结构，并形成若干分立的浮栅极结构；在浮栅极结构上形成若干控制栅结构，若干所述控制栅结构平行于第一方向，任一所述控制栅结构位于沿第一方向排列的一行所述浮栅极结构上。所述方法形成的半导体结构

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117794246A

(43)申请公布日2024.03.29

(21)申请号202211137958.6

(22)申请日2022.09.19

(71)申请人中芯北方集成电路制造（北京）有限

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