EUV基础知识分析和总结.docx

EUV

介质对EUV的吸收导致EUV系统是反射系统，掩膜和投影物镜均为反射式。

EUV技术延迟的原因有：1、DUV技术的存在；2、EUV存在的技术挑战和一些风险；3、90年代金融危机的影响；4、各个公司对NGL没有达成一致。

EUV系统的结构：1、等离子体或稀有气体的EUV光源；2、镀有多层膜的集光器和反射镜；3、装载反射掩膜的掩膜台；4、反射式投影物镜；5、装有硅片的扫描工件台。

EUV的光束将引起掩膜和光学表面的局部受热，这要求在关键表面要有热控制。另外，磁悬浮平台的速度和位置都需要控制在纳米精度。

EUV光学系统

为了保证好的像质，必须使用精度小于/14高精度反射式投影物镜系统。由于通过反射时的能量损失，必须限制实际的物镜的反射镜的数量，为了减小误差，必须使用非球面反射镜。

系统的成像质量通常用zernike系数表示，通过拟合透过光学系统的波前和理想球面波前进行比较拟合出zernike系数。Zernike系数中的5到36项被称作figureandquantify像差。而37级及其以上的项被称作midspatialfrequencyroughness（MSFR），他描述了图像空间周期在1um到1mm时的平滑特性。MSFR引起了小角度的散射，这些散射光仍保持在像场内。MSFR使背景照明超过了期望得到的理想图案的亮度，（即杂散光）。杂散光和杂散光的不均匀特性，都降低了像质。

杂散光的绝对值减小了图像的对比度，限制了操作条件和处理窗口。杂散光的不均匀性引起了图案关键尺寸的不均匀性。大角度的散射会使杂散光射在像场外，这种因为大角度而引起光的损失称作HSFR。HSFR与空间周期小于1um的表面粗糙度有关。HSFR的主要影响是降低了产率。

四镜结构的投影物镜的WFE不能大于0.25nmRMS，六镜结构的0.25NA数值孔径的投影物镜结构的WFE要小于0.2nmRMS。

因为同时获得低的MSFR和HSFR比较困难，所以一种多层膜平滑技术被

法阵起来以用于在将MSFR减小到一个可以接受的范围之后减小HSFR。

相移点衍射（PS/PDI）的精度已经达到40到70pm，工作波长的横向剪切干涉（LSI）可以在保证高产率的情况下进行测量。

EUV多层膜

EUV辐射被所有材料所吸收，光学表面必须做成反射式的，并且在表面上必须镀有分布式的四分之一波长的多层膜反射层。各种材料被联合使用到表面反射层上，最常用的是Mo，结合使用上Si或者Be。

多层膜的周期被制造成通过干涉从而在峰值波长的处达到最大的反射率，对于Mo/Si膜，Mo的厚度为2.8nm，Si的厚度为4.1nm，对于Mo/Be膜，Ru材料被加入到Mo中，从而产生了合金层，他的厚度为2.3nm，Be的厚度为3.4nm。Mo/Si的峰值反射率在13.5nm，MoRu/Be层的峰值反射率在11.4nm。为了达到尽可能大的多层膜镜子反射率，并且满足实际生产成像质量和产率的严格指标，必须满足的两个要求是：1、内在材料的性质和多层膜结构的性质；2、严格满足厚度控制和重复率等条件的沉积技术。

EUV反射镜多层膜沉积最主要的两种技术是：1、直流磁控喷射沉积(MSD)；2、离子束喷射沉积(IBSD)。另外一种技术使用了离子束辅助电子蒸发沉积

（EBED），这种技术被用在了第一台贝塔样机的光学系统中。MSD是一种典型的光学镀膜技术，他在对大型元件进行均匀或渐变镀膜时，具有良好的控制、镀膜速度和温度控制。IBSD具有更加优秀的缺陷控制，它具有专门用于覆盖掩膜基底缺陷的沉积条件。EBED技术相对于沉积技术而言的优越性在于沉积的原子到达基底时所具有的热能较小。但是EBED技术在各层沉积完成后，需要一步离子抛光，另外一些如原子层沉积技术（ALD）也在研发中。

为了保持EUV投影光学系统的形状，对于160mm直径的光学基底需要有0.1%的厚度控制。这就需要严格控制覆盖在基底材料之上的多层膜周期厚度的均匀性。

多层膜的反射性质，峰值波长和压力必须随着时间、温度和在曝光过程中具有一定的稳定性。一个存放在空气环境中Mo/Si多层膜，它的反射特性和峰值功率的稳定性在25个月以上。理论模型指出了除了靠近边缘的位置，大部分由于

薄膜应力的变形都是球状的。形变的球状部分可以通过光学系统的对准来补偿。先前减小多层膜应力的技术包括对多层膜的成分、沉积条件的改变和沉积后退火。在退火后，Mo/Si膜的的应力减小了75%。

引起多层膜反射镜的反射率下降的因素包括：表面杂质、氧化和腐蚀。表面杂质和腐蚀通过两种方式来影响投影光学系统的质