1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

半导体结构及其制作方法.pdfVIP

  • 2
  • 0
  • 约1.38万字
  • 约 12页
  • 2024-04-03 发布于四川
  • 举报

半导体结构及其制作方法.pdf

    本申请提供了一种半导体结构及其制作方法。该半导体结构包括衬底以及形成于衬底上的多个晶体管，各晶体管包括阱区、掺杂区和栅极结构，阱区形成于衬底中，栅极结构位于阱区表面，掺杂区形成于栅极结构两侧的阱区中，相邻晶体管中阱区的掺杂类型不同，且同一晶体管中阱区与掺杂区的掺杂类型不同，半导体结构还包括：浅槽隔离结构，贯穿至相邻晶体管之间的衬底中；导电通道，一一对应地设置于浅槽隔离结构远离衬底的一侧，且一个导电通道同时与相邻两个晶体管中的掺杂区接触；互连层，设置于导电通道远离衬底的一侧，互连层通过导电通道与掺

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117810162A

    (43)申请公布日2024.04.02

    (21)申请号202211167680.7

    (22)申请日2022.09.23

    (71)申请人无锡华润微电子有限公司

    地址2

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >