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本发明属于模拟集成电路领域，涉及集成电路中的温度传感器，具体为一种基于MOS管栅极泄漏电流的温度传感器。本发明利用MOS管的栅极泄露电流，使该电流流经工作在亚阈区的MOS管，从而产生CTAT电压。由于栅极泄露电流极小，因此保证了感温前端极低的功耗。由于将输出信号建立了与阈值电压之间的线性关系，而阈值电压在较宽的温度范围内，与温度有着强线性关系，因此在电路结构简单的同时，也保证了较宽的感温范围和较高的温度线性度。同时，本发明可扩展性较高，可根据性能需求，在不同的应用场景下采用不同的量化模块以满足相
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117804622A
(43)申请公布日2024.04.02
(21)申请号202410002763.3
(22)申请日2024.01.02
(71)申请人电子科技大学
地址611731
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