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2024-04-06 发布于四川
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量子处理元件的电控制.pdf

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一种控制量子处理元件的方法，所述量子处理元件包括：半导体基板；障壁材料，所述障壁材料形成于所述半导体基板上方，使得界面形成于所述半导体基板与所述障壁材料之间；栅极电极的布置；外部磁体；以及电子控制器，其中所述方法包括：通过将电压施加到所述栅极电极的布置以用于绑定可控数目的电子或空穴来生成静电限制电位，从而形成第一量子点；使用所述外部磁体将恒定磁场施加到所述量子处理元件，所述磁场将与所述第一量子点中的所述可控数目的电子或空穴中的未配对电子或空穴相关联的自旋状态的能级分离；以及使用所述电子控制器改变

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117836784A

(43)申请公布日2024.04.05

(21)申请号202280056506.7T·坦图W·H·林A·劳赫特

(22)申请日20

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