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一种过渡金属硫化合物单晶晶圆生长的方法.pdfVIP

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  • 2024-04-06 发布于四川
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一种过渡金属硫化合物单晶晶圆生长的方法.pdf

    本发明公开了一种过渡金属硫化物单晶晶圆的生长方法，包括以下步骤：1)将单晶蓝宝石退火；2)将退火后的蓝宝石晶圆作为基底，将过渡金属箔材平行于基底放置，在箔材与基底之间平行放置多孔阻隔层；3)在基底的气流上游放置硫单质；4)向低压化学气相沉积体系通入混合气体，待气流稳定后，将基底和硫单质分别加热至设定温度，之后恒温，在基底上制备获得单一取向的过渡金属硫化合物三角形晶畴；5)延长恒温时间，使单一取向的过渡金属硫化合物三角形晶畴无缝拼接成过渡金属硫化合物单晶晶圆。本发明实现高重复度、高质量过渡金属硫化

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117822121A

    (43)申请公布日2024.04.05

    (21)申请号202310255352.0

    (22)申请日2023.03.16

    (71)申请人北京大学

    地址100871

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