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N面出光980nmVCSEL的工艺研究的开题报告.docxVIP

N面出光980nmVCSEL的工艺研究的开题报告.docx

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N面出光980nmVCSEL的工艺研究的开题报告

一、选题背景

VCSEL(Vertical-CavitySurface-EmittingLaser)是一种非常重要的半导体激光器。在短距离高速光通信、半导体激光雷达、3D传感等领域具有广泛的应用。一般VCSEL工作波长为850nm和1310nm。但随着近年来各类应用场景的不断增多,需要更高的数据传输率和更高的系统性能,因此波长更短的VCSEL逐渐得到人们的关注。980nmVCSEL具有工作在1310nm波长以下的特点,具有更高数据传输速率。同时,980nmVCSEL还可以应用于医学和军事领域中的激光器系统。

本次选题研究的980nmVCSEL工艺,将对其在数据通信和医学领域中的应用有积极的推动作用,从而具有很高的研究价值和应用价值。

二、研究目的

本项目旨在研究N面出光的980nmVCSEL的制备工艺,主要包括以下方面:

1.N面出光的980nmVCSEL结构设计;

2.980nmVCSEL器件的制备工艺研究;

3.980nmVCSEL器件的性能测试。

三、研究内容

1.设计N面出光的980nmVCSEL结构

针对980nmVCSEL的特点,设计出N面出光的VCSEL结构。通过有限元仿真分析,在不同的结构参数下对这种结构的电光学特性进行研究。

2.980nmVCSEL器件的制备工艺研究

利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长技术,生长出符合设计要求的N面出光的980nmVCSEL材料。通过优化工艺参数,实现光电特性的优化。

3.980nmVCSEL器件的性能测试

使用相应的测试仪器对制备好的980nmVCSEL器件进行性能测试,包括测试其输出功率、谱线特性、电学特性、温度特性等。

四、研究意义

1.本研究可深入理解VCSEL的物理特性以及其在光通信中的应用;

2.980nmVCSEL的研制可以拓展其应用领域,推动光通信技术快速发展,促进我国通信产业发展;

3.N面出光的980nmVCSEL结构设计及制备技术可扩展至其他波长的VCSEL器件制备;。

五、研究方法

本文将针对980nmVCSEL器件的结构特点和应用要求,通过结构设计、材料生长和器件加工技术等方法,制备出符合要求的N面出光的980nmVCSEL器件,并对其进行详尽的性能测试和分析。主要研究方法包括:

1.二维有限元仿真分析,对N面出光的VCSEL结构进行电光学特性分析;

2.利用MOCVD生长技术,制备980nmVCSEL材料;

3.制备980nmVCSEL器件的工艺研究,包括光刻、腐蚀、金属化等工艺;

4.利用测试仪器对器件进行性能测试和分析。

六、预期成果

1.制备出符合设计要求、性能良好的N面出光的980nmVCSEL器件;

2.深入掌握VCSEL器件的物理特性和制备工艺;

3.在此基础上研究出其他波长的VCSEL器件的制备工艺;

4.为光通信和医学领域中相关设备的开发和应用提供技术支持。

七、预期进展

本项目将以N面出光的980nmVCSEL为研究对象,针对其结构特点和应用要求,开展结构设计、加工工艺制备、光电性能测试等研究。预期能够制备出符合要求的980nmVCSEL器件,并对其进行全面性能测试和分析。在此基础上,可以拓展其他波长的VCSEL器件制备方法,为相关设备的应用提供技术支持和推动。

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