地弹噪声整改案例去耦电容和地线的重要性讲述.pdfVIP

NRC-819开入异常测试

一、测试说明

针对WDR-821B/G3开入异常现象，本次试验针对以下7项内容进行了测试：

1）测量正常与疑似异常HCT245在开入变位时输入端低电平幅值。

2）通过可调电位器，测量HCT245芯片开入变位门槛值。

3）通过可调电位器，测量HC245芯片开入变位门槛值。

4）针对疑似异常HCT245芯片，调节跳位开入前端回路参数，测试对异常

现象的影响。

5）使用HC245芯片，调节跳位开入前端回路参数，测试对开入变位的影响。

6）疑似异常HCT245芯片电源加电容测试。

7）开入动作电压值测量

二、相关电路原理图和PCB

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三、测试项目

1.测量正常与疑似异常HCT245在开入变位时输入端低电平幅值

1.1正常HCT245芯片在光耦变位时，用电压表测量YXKR1~YXKR11的电压

为0.67V左右。

1.2正常HCT245芯片KR1(TWKR)的电压为0.654V（返回时高电平4.24V左右）。

1.3疑似异常HCT245芯片KR1(TWKR)的电压为0.656V（返回时高电平4.24V

左右），去掉跳位面板指示灯后，KR1(TWKR)的电压为0.543V。

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2.HCT245芯片开入变位门槛值

2.1正常HCT245芯片，测量遥信开入在1.2V左右，HCT245输出变位。

通道1：光耦后YXKR3通道3：数据线D2通道3：片选CS2

2.2疑似异常芯片遥信开入变位门槛值

将YXKR9的上拉电阻两端并联一个电位器，调节电位器，测量YXKR9在

1.2V左右，HCT245输出变位。变位过程中波形如下三个波形：

通道1：D0(YXKR9经HCT245输出端)，通道2：片选，通道3：YXKR9

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通道1：D0(YXKR9经HCT245输出端)，通道2：片选，通道3：YXKR9

通道1：D0(YXKR9经HCT245输出端)，通道2：片选，通道3：YXKR9

2.3疑似异常芯片KR1(TWKR)开入变位门槛值

断开KR1(TWKR)前端回路，将YXKR9回路接入到KR1(TWKR)上，将

YXKR9的上拉电阻两端并联一个电位器，调节电位器，测量YXKR9在1.09V

左右，HCT245输出变位。变位过程中波形如下三个波形：

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通道1：D3(KR1经HCT245输出端)，通道2：片选，通道3：KR1

通道1：D3(KR1经HCT245输出端)，通道2：片选，通道3：KR1

通道1：D3(KR1经HCT245输出端)，通道2：片选，通道3：KR1

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3.HC245芯片开入变位门槛值

将YXKR9的上拉电阻两端并联一个电位器，调节电位器，测量YXKR9在

2.5V左右，HC245输出表现为不定态，但无抖动现象，测得如下两个波形：

通道1：D0(YXKR9经HC245输出端)，通道2：片选，通道3：YXKR9

通道1：D0(YXKR9经HC245输出端)，通道2：片选，通道3：YXKR9

4.针对疑似异常HCT245芯片，调节跳位开入前端回路参数，测试对异常现象

的影响

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4.1不去指示灯情况下，测得如下波形。

通道1：D3(KR1经HCT245输出端)，通道2：片选，通道3：KR1

4.2去掉指示灯情况下，测得如下波形。

通道1：D3(KR1经HCT245输出端)，通道2：片选，通道3：KR1

4.3断开YXKR9前端回路，再与KR1(TWKR)并联，测得如下波形。

通道1：D0(YXKR9经HCT245输出端)，通道2：片选，通道3：YXKR9

4.4在电子车间测试时，断开YXKR9前端回路将KR1(TWKR)前端负载接到

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YXKR9开入位，波形如下：