薄膜的物理气相沉积(Ⅰ)-蒸发法.ppt

第三章薄膜制备技术-蒸发法;真空蒸发;二、真空蒸发的设备;二、真空蒸发的设备;二、真空蒸发的设备;三、汽化热和蒸汽压;物质的饱和蒸气压：在一定温度下，真空室内蒸发物质的蒸汽与固态或液态相平衡时所呈现的压力。

物质的饱和蒸气压随温度的上升而增大，一定的饱和蒸气压则对应着一定的温度。规定物质在饱和蒸气压为1.3Pa时的温度，称为该物质的蒸发温度。

;;单位物质表面的质量蒸发速度:

;1、元素的蒸汽压

克劳修斯-克莱普朗方程：

物质平衡蒸汽压P随温度的变化率为：

;lgP与1/T基本满足线性关系;图2.1a元素的平衡蒸汽压随温度的变化曲线

（点表示相应元素的熔点）;?液相蒸发

对大多数金属，温度达到熔点时，其平衡气压低于10-1Pa,需将物质加热到熔点以上

?固相升华

在熔点附近，固体的平衡蒸汽压已相对较高，如Cr,Ti,Mo,Fe,Si等，可以直接利用由固态物质的升华，实现物质的气相沉积;2、化合物的蒸发

化合物蒸发出来的蒸气可能具有完全不同于其固态或液态的成分，各元素间将发生化合或分解过程：

;3、金属合金的蒸发

金属合金的蒸发也会发生成分的偏离，但合金中原子间的结合力小于化合物中原子间的结合力，实际蒸发过程可视为各元素独立蒸发过程，可由热力学定律来描述：

;实际合金的蒸气压之比更加偏离合金中的原始组分之比。

PA=?A?APA(0)；PB=?B?BPB(0)；

－?A，?B分别为元素A、B在合金中的活度系数

合金中A、B组元的蒸发速率之比为

对于初始成分确定的蒸发源，易于蒸发的组元优先蒸发，造成该组元的不断贫发，造成该组元的蒸发速率下降。

实际采取的措施：采用双源或多源，分别加热至不同温度来控制每一组元的蒸发速率。

;4、多组分薄膜的蒸发方法

利用蒸发法制备多组分薄膜的方法主要有三种方法

（1）单源蒸发法：先按薄膜组分比例的要求制成合金靶，然后对合金靶进行蒸发、沉积形成固态薄膜。基本要求是合金靶中各组分材料的蒸汽压比较接近。

（2）多源同时蒸发法：利用多个坩埚，在每个坩埚中放入薄膜所需的一种材料，在不同温度下同时蒸??。

（3）多源顺序蒸发法：把薄膜所需材料放在不同坩埚中，但不是同时蒸发，而是按顺序蒸发，并根据薄膜组分控制相应的层厚，然后通过高温退火形成需要的多组分薄膜。

;五、元素、化合物、合金蒸发的特点;六真空蒸发源;1、电阻式加热蒸发

普通电阻加热：

利用一些高熔点、低蒸气压的金属（W，Mo,Ta等）制成各种形状的加热器；一方面作为加热，同时支撑被加热的物质。（低压大电流）

;六真空蒸发源;;加热装置的分类和特点：

（1）丝状（0.05-0.13cm)，蒸发物润湿电阻丝，通过表面张力得到支撑。只能蒸发金属或合金；有限的蒸发材料被蒸发；蒸发材料必须润湿加热丝；加热丝容易变脆。

（2）凹箔：蒸发源为粉末。

（3）锥形丝筐蒸发小块电介质或金属。;缺点

（1）加热装置与蒸发物会反应

（2）难以蒸发电介质材料（Al2O3,Ta2O5,TiO2等）

（3）蒸发率低

（4）加热蒸发时合金和化合物会分解。

;2、电子束加热装置及特点

电子束通过5-10KV的电场后被加速，然后聚焦到被蒸发的材料表面，把能量传递给待蒸发的材料使其熔

化并蒸发。

无污染：与坩埚接触的待蒸发材料保持固态不变，蒸发材料与坩埚发生反应的可能性很小。（坩埚水冷）;难熔物质的蒸发：

适合制备高纯，难熔物质薄膜

可同时安置多个坩埚，同时或分别蒸发多种不同物质。

大部分电子束蒸发系统采用磁聚焦或磁弯曲电子束，蒸发物质放在水冷坩埚内，可以制备光学、电子和光电子领域的薄膜材料。

如Mo、Ta、Nb、MgF2、Ga2Te3、TiO2、Al2O3、SnO2、Si等等。;3、激光加热蒸发

利用激光作为热源使待蒸发材料蒸发。

激光蒸发属于在高真空条件下制备薄膜的技术。激光源放在真空室外边，激光束通过真空室窗口打到待蒸发材料上使其蒸发，沉积在衬底上。

适合制备高纯，难熔物质薄膜

;六真空蒸发源;六真空蒸发源;可用来制备光学薄膜Sb2S3,ZnTe,MoO3,PbTe,Ge,Si

制备陶瓷薄膜：Al2O3,Si3N4,

氧化物薄膜：SnO2，ZnO

超导薄膜YBCO

注：Sb(锑ti)Te(碲）;4、电弧加热蒸发

利用电弧放电加热

无污染

适合制备高纯，难熔导电物质薄膜

缺点：产生微米级的电极颗粒

原理：用欲蒸发的材料做电极，通过调节真空室内电极间的距离来点燃电弧，而瞬间的高温电弧将使电极端部产生蒸发从而实现薄膜的沉积;在较低的反应气体压强