半导体二极管及其基本电路(2).ppt

整理课件半导体二极管图片（3）二极管的伏安特性（1）其中：PN结的伏安特性IS——反向饱和电流VT——温度的电压当量且在常温下（T=300K）二极管的伏安特性曲线可用下式表示Current-VoltageRelationship二极管的伏安特性（2）当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。热击穿——不可逆雪崩击穿齐纳击穿电击穿——可逆二极管的伏安特性（3）硅二极管2CP10的V-I特性锗二极管2AP15的V-I特性正向特性反向特性反向击穿特性实际二极管器件的几个典型值：死区电压：硅管0.5V左右、锗管0.2V左右导通压降：硅管0.7V左右、锗管0.3V左右反向饱和电流：硅管几十uA、锗管几百uA二极管的主要参数(1)最大整流电流IF(2)最大反向工作电压VRM(3)反向饱和电流IRIFVRMIR以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。下面介绍两个交流参数。（4）微变电阻rDiDuDIDUDQ?iD?uDrD是二极管特性曲线上工作点Q附近电压的变化与电流的变化之比：显然，rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻。PN结高频小信号时的等效电路：势垒电容和扩散电容的综合效应rd二极管的模型1.理想模型3.折线模型2.恒压降模型特点：死区电压=0正向导通压降=0反向饱和电流=0特点：正向导通压降=死区电压=0.7V或0.3V反向饱和电流=0特点：正向导通压降=死区电压=0.5V或0.2V反向饱和电流=0二极管电路分析举例（1）含二极管电路的分析方法确定二极管的工作状态根据工作状态用不同的模型代替二极管在等效后的线性电路中作相应的分析若二极管工作在截止状态则可等效为断开的开关若二极管工作在导通状态则可等效为导通的开关UONID或电压为UON的电压源二极管电路分析举例（2）如何判断二极管的工作状态？步骤1、假设二极管截止，即将二极管断开。2、计算二极管两端的电压UD=V阳-V阴3、判断：若UD0，则二极管工作于导通状态若UD0，则二极管工作于截止状态二极管电路分析举例（3）例1：图示电路中，分析当UA与UB分别为0与3V的不同组合时，二极管D1、D2的状态，并求U0的值。解：（1）当UA=UB=0时设D1、D2截止，则等效电路为UD1UD2D1D2U0R5VUAUBD1D2U0R5V由电路，有UD1=0-（-5）=50UD2=0-（-5）=50则D1、D2处于导通状态，电路可等效为所以，U0=0D1D2U0R5V二极管电路分析举例（4）（2）当UA=UB=3V时设D1、D2截止，则等效电路为由电路，有UD1=3-（-5）=80UD2=3-（-5）=80则D1、D2处于导通状态，电路可等效为所以，U0=3VUD1UD2D1D2U0R5V3V3VD1D2U0R5V3V3V二极管电路分析举例（5）（3）当UA=3V，UB=0时设D1、D2截止，则等效电路为由电路，有UD1=3-（-5）=80UD2=0-（-5）=50UD1UD2D1D2U0R5V3VD1D2U0R5V3V出现矛盾！即D1、D2不可能同时导通！！规定：承受正偏压大的二极管优先导通。电子技术第二章半导体二极管模拟电路部分第二章半导体二极管及其基本电路§2.1半导体的基本知识§2.2PN结的形成及特性§2.3半导体二极管§2.4二极管基本电路及其分析方法§2.5特殊二极管半导体的基本知识（1）自然界的物体根据其导电能力(电阻率)的不同，可划分为导体、绝缘体和半导体。半导体Semiconductor半导体的特性1）当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。2）往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变。GeSi半导体材料：导电性能介于导体与绝缘体之间的材料称为半导体材料。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。半导体的基本知识（2）在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成