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3.1.3活化隧道理论
该理论认为：电子从一个中性小岛移至另一个中性小岛，因而使原来的一些带有电荷在载电小岛与中性小岛间的电子传输是一个隧道过程。;式中：N是岛状薄膜单位面积内小岛数目，是活化能。即是将一个电子从一个中性小岛移到另一个中性小岛所需要的能量。设每个小岛的体积为4/3πa3,
则岛状薄膜总体积为： ;相邻两岛的中心距离为;结论：小岛线度a↓→载流子密度na↑→σa↑→R口↓
岛间距离d↑→σa↓
（∵指数衰减比d2增加快）
关于岛状薄膜电导理论：
还有允许态间隧道理论…
通过基片的隧道理论…;§3.2外因对岛状薄膜电导的影响
外因：温度、频率、应力
§3.2.1温度的影响
薄膜电阻温度系数
;（注：假设薄膜尺寸不变）;而活化能;§3.2.2岛状薄膜的高频特性;在高频下，C0对rs有旁路作用，从而使薄膜的高频
电阻减小。
在高温下，岛间的热电子发射加剧→rs↓
;§3.3网状薄膜的电导
网状薄膜的电导是由金属小岛、金属接触点或者
金属细丝以及岛间空隙的电导所构成。
接触膜电阻：岛间电阻＞＞接触电阻＞＞小岛本身电阻
丝状膜电阻：除了电子在薄膜的两个平行面上散射外，
还受到细丝的整个周界的严重散射;§3.3.1接触膜的电导;两个电板间的电位差;若在岛状薄膜的长度中，有Ns个小岛相互串联，在薄
膜的横断面中，有Np个;连续金属薄膜导电用金属的电导理论+薄膜结构;2——电子自旋有2个
显然，在t+dt时刻，在同一体积元中的电子数变为：
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