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第11期1457?1474第40

第11期1457?1474

第40卷

2023年11月

CHINESEJOURNALOFAPPLIEDCHEMISTRY

稀土DOI：10.19894/j.issn.

稀土

稀土基氧化物忆阻器的研究进展

苏旺胡全丽*刘景海*

（内蒙古民族大学纳米创新研究院，内蒙古自治区纳米碳材料重点实验室，内蒙古民族大学化学与材料学院，

锂硫电池储能内蒙古自治区工程研究中心，通辽028000）

摘要忆阻器是一种将电荷和磁通量关联起来的电路学基本元器件，在量纲上它与电阻相同，表现为随电压电流变换的非线性电阻变换行为。作为一种新型的非易失性存储器件，忆阻器具有结构简单、存储密度高和能够模拟生物神经突触等特性。因其独特的“记忆特性”，在阻变存储器、人工神经网络和非线性运算电路设计等领域被广泛的研究。其中，稀土基氧化物忆阻器因其更加稳定的性能和多元的应用前景，成为忆阻器研究关注的热门材料。但目前对于稀土氧化物材料，尤其对重稀土元素并没有较为全面的总结和归纳。因此，文章从忆阻器的结构、组成和电阻转换机理进行了论述。以元素为分类标准，系统地梳理从Y元素到Lu元素，国内外每种稀土氧化物以及稀土掺杂氧化物忆阻器在阻变存储器，人工神经网络等方面应用的重点工作。最后，对目前稀土基忆阻器研究遇到的问题和挑战进行了分析，总结了稀土基氧化物忆阻器优缺点，提出

了目前可行的方法，并展望了发展趋势和应用潜力。

关键词稀土；氧化物；忆阻器

中图分类号：O611.6文献标识码：A文章编号：1000-0518（2023）11-1457-18

1971年，华裔科学家蔡少棠教授从物理学的角度上根据4种电路学基本变量预测，还存在一种电路学基本元器件，该元器件代表电量Q与磁通量φ的关系，并提出忆阻器的概念［1］。但是受限于当时集成电路的发展水平，以及尚未发现很多具有忆阻特性的材料，忆阻器的研究并未得到广泛关注，直到2008年惠普实验室在Nature杂志上发表“Themissingmemristorfound”文章，成功制备了基于TiOx忆阻器物理模型［2］。以此为开端，忆阻器受到了广泛的关注。

忆阻器（Memristor）顾名思义是具有“记忆能力”的电阻，根据忆阻器相关变量的关系可以更加清晰地了解忆阻器的独特性，dφ=Mdq关系式揭露的是电量q和磁通量φ的关系，其中，M为忆阻值。进一步φ=Vdt，dq=Idt，所以可得V=M(q)I［3］。因此，可以得知忆阻值与电阻有着共同的量纲，单位是欧姆(Ω),在数值上器件的电阻值等同于某一时刻施加在忆阻器件上的电压与电流之比。简单来说，对于忆阻器与传统固定值的电阻器不同的是，忆阻器是非线性电阻，其电阻值是随电压/电流之比变换的。表现在电流-电压（I-V）特性曲线中，忆阻器会在正负扫描电压过程中表现出过零点的“8”字滞回曲线［4-5］，同时，忆阻器会出现2个及以上多电阻状态。忆阻器的电阻态转换分为两个过程，分别为SET过程和RESET过程。SET过程是指器件从初始态（一般为高阻态Highresistancestate，HRS）转换另一差值较大的电阻态（一般为低阻态Lowresistancestate，LRS）的过程，对应电阻态转换电压为VSET。RESET过程是指器件从另一阻态过程转换到初始态过程，对应电阻态转换电压为VRESET过程。此外，忆阻器根据VSET和VRESET电压方向的极性分成单极性忆阻器和双极性忆阻器。当忆阻器VSET和VRESET电压同为正或负时，该忆阻器是单极性忆阻器。当忆阻器VSET和VRESET电压极性相反时，该忆阻器是双极性忆阻器。在实际应用时，不同的应用情况可以使用不同类型的忆阻器。

对于半导体元器件来说，性能的高低始终是首要的。对于忆阻器来说，评价器件性能的基本指标

2023-04-14收稿；2023-08-18接受

国家自然科学基金地区项目（Nos21961024）、内蒙古自治区草原英才工程青年领军人才（No.KYCYYC23001）、内蒙古自然科学基金青年项目（No.2022QN02016）、内蒙古自治区高等学校科学技术研究自然科学重点项目（No.NJZZ22461）和内蒙古民族大学博士启动基金（No.BS456）资助

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