《半导体光电子学》第2章半导体中光子-电子的互相作用.pptx

第一节半导体中量子跃迁的特点;半导体中与光有关的量子（电子或空穴）跃迁主要发生在导带与价带之间。

1.受激吸收

受激吸收之后出现电子-空穴对

光电导、光探测器原理。

;2.自发发射

半导体发光二极管（LED）工作原理。;半导体中量子跃迁特点：

①电子态密度高（N～1023㎝ˉ3）

量子跃迁速率大增益系数大

②量子效率高，响应速度快

（碰撞能量交换时间短）可直接调制2.5GHz

③能量转换效率高

可将载流子直接注入有源区

气体～20％，固体～5％，半导体～60－70％，量子点～100％。

④由于不纯和的相互作用，选者定则不严格

→谱线宽;第二节直接带隙与间接带隙跃迁;一.竖直跃迁与非竖直跃迁

竖直跃迁：电子跃迁的初态、终态对应着布里渊的同一波矢K。GaAs,Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族化合物。

非竖直跃迁：电子跃迁的初态、态终不对应着布里渊区的同一波矢K。Ge、Si中。

;二.跃迁的K选择定则

以上两种跃迁均满足：

①能量守恒

②动量守恒;三.直接带隙跃迁

光子的波数很小

直接带隙跃迁（竖直跃迁）

参与者：光子、电子、空穴

跃迁几率大，属一级微扰过程。

四.间接带隙跃迁

电子跃迁初、终态的值不相等，有声子参与（）;

有声子参加才满足动量守恒的跃迁称为间接带隙跃迁。

有四种量子参与的跃迁;二.跃迁几率

首先确定包括微扰在内的描述能量的哈密顿量和该系统的波函数,再求解薛定谔方程.

;;;三.电子在浅杂质能级和与其相对的能带之间跃迁

束缚电子波函数:;四.重掺杂下带-带跃迁

当掺杂浓度↑→外层电子的波函数交叠形成杂质能带→进入本征抛物线能带→带尾→带隙变窄→光谱变宽

跃迁矩阵元

;第三节光子密度分布与光子能量分布;第四节电子态密度与占据几率;第五节跃迁速率与爱因斯坦关系;跃迁速率:单位时间,单位能量范围，单位体积中发生的跃迁次数。

影响跃迁速率的几大因素，

①初态被电子占据的几率

终态被空穴占据的几率

②光子密度

③跃迁几率和，

（包括所有可能产生跃迁的态→对态函数积分）

④对于确定的光子能量，参与跃迁的电子-空穴能级对密度→折合态密度;;三.自发发射速率与受激发射速率关系

电子跃迁的初态和终态存在一个能量范围

单位能量范围跃迁速率：

总的受激发射跃迁速率

;四.增益系数与净受激发射速率关系

;2.体现晶格结构原子特性等材料对g影响。

3.体现注入载流子对g的影响，体现温度T对g的作用。

五.净受激吸收速率与吸收系数

;;一.自发发射复合速率

1.遵从严格的K选择条件;2.K选择定则松弛;2.求非平衡载流子的为非平衡载流子通过辐射复合衰减的速率

;二.非辐射复合——俄歇复合

1.定义电子和空穴的非辐射形式复合，将以声子形式释放能量转为载流子动能

2.类型

a.带间俄歇复合→较多情况

b.杂质俄歇复合

c.隔阱参与的俄歇复合

d.声子参与的俄歇复合

（c、d情况较少）

;3.自旋轨道裂矩概念

两价电子自旋磁矩互作用使重空穴带二重简并解除，轻空穴带下面出现一自旋-轨道分裂带,与带顶能量差Δ，称为自旋-轨道裂矩.

4.俄歇复合是碰撞电离产生电子-空穴对的逆过程

5.两种带间俄歇复合(三体复合，四能量态);;第七节增益系数与电流密度关系;注入半导体中载流子的行为

①.扩散(存在浓度梯度)

②.复合(辐射复合,非辐射复合)

③.泄漏(越过异质结势垒)

1.速率方程(忽略②非辐射,③泄漏)

;描述注入载流子从小到大过程

n↑自发发射I↑粒子数不反转;n↑阈值,粒子数反转,受激发射。;3.增益系数g与J的关系曲线;4.增益与激励光子能量关系