《半导体光电子学》第3章平板介质光波导.ppt

优点：①装置简单可靠②易于生长纯度很高的单晶层③外延层晶体结构的完整性较好，位错及微缺陷密度都低④掺杂剂的选择范围大⑤生长速度较快⑥外延层的组分和厚度可精确控制缺点：①晶格常数与衬底失配>10%以上的生长困难②层厚<0.06μm，生长难以控制2.金属有机化学气相沉积(MOCVD)1968年提出，80年代迅速发展，生长量子阱和超晶格、制备薄层材料有优越性。原理：采用Ⅲ、Ⅱ族元素的有机化合物和Ⅴ、Ⅳ族元素的氢化物为原材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长半导体单晶装置：①Ⅲ、Ⅱ族金属有机化合物TMGa:三甲基镓TEIn:三乙基锢②Ⅴ、Ⅳ族元素的氢化物金属有机化合物以氢作载体与V、PI族元素氢化物混合，流经加热衬底表面时，发生分解反应，外延生成化合物薄膜优点：①通过精确控制气流量来控制外延层组分、厚度、导电类型②可以生长几，十几的薄层，满足结构需要③工艺简单，可获大面积、厚度、组分均匀的外延片④可生长在固相互不溶的亚稳态合金3.分子束外延70年代真空蒸发基础上发展的技术原理：热分子束或原子束喷射到衬底表面形成单晶。优点：①主体原子和掺杂物质扩散效应小，获得十分陡的掺杂分布，原子内平整的外延层面②生长速率低，厚度控制到单原子层③控制快门开、关来改变组分掺杂。装置：材料衬底制备外延生长外延材料测试积淀光刻、腐蚀LD的制造工艺缺陷小磨抛清洗监制与材料晶格匹配，适当掺杂平整、光亮核心工艺有LPE、MOCVD用此膜在扩散时起掩蔽作用腐蚀分湿法(化学)和干法腐蚀(等离子、反应离子刻蚀)清洗二次外延生长P型电极制备衬底机械化学减薄n型电极制备切割解理成管芯光刻蒸金属层合金，电极制作又称欧姆接触。影响功率、热状态、器件可靠性、寿命用金刚石刀在解理面方向切压成F-P腔单管芯测试焊接压焊封装耦合老化超声键合电、气、热、力结合测试第3章平板介质光波导麦克斯韦方程传播模式的本征方程模传播常数等传输模的截至条件，波导参数目的：LD激光器，光电二极管，平面光波导器件的理论基础。边界条件3.1光波的电磁场理论

一.基本理论材料方程矢量分析变换场论波动方程分离变量法时空变换单独考虑与时间无关的波动方程：亥姆霍兹方程复传播常数二.电学常数、光学常数、复折射率电学：介电常数，磁导率，电导率光学：折射率，消光系数，损耗系数1.当无损耗＝0时，复传播常数变为折射率光速考虑最简单情况：平面电磁波：理解为在介质中单位长度的传播引起的相位变化。2.有损耗复折射率带入上式比较虚实部沿y方向偏振的波动方程解为以频率为，速度为的衰减平面波对于吸收较强的材料(大)，光学系数必须用偏振光的反射来测量(如金属)。§3.2光在平面板介质波导中的传输特性一.分析对称三层介质结构边界条件→波导模式→波导结构TE横电模→TM横磁模→//结平面TE⊥结平面TMLD偏振光TE线偏对波动方程求解：Ey(x)满足x方向波动方程＊式求解：K－X方向传播常数K(X方向)与β(Z方向)关系：在边界条件下求解Maxwell方程：二.偶阶TE模式对＊式，分别讨论偶阶、奇阶的解偶阶TE模式：由Maxwell方程解出：区域内电场按指数衰减→倏逝场进入限制层的光完全反射回有源层内衰减系数有源区内，传播系数由传播常数关系，边界条件，得：X=d/2