《半导体光电子学》第5章半导体激光器的性能.pptx

第5章半导体激光器的性能;性能;§5.1LD的阈值特性;阈值作用：

①衡量LD内是受激发射还是自发发射

②的有无是区分LD与LED标志

③比较LD之间质量优劣;一.LD结构对阈值的影响;二.LD几何尺寸对的影响;②

SHLD中同质结的弱波导作用

③越大↓（在相同d时）

④↑最小对立的d↓

⑤

LD有源层工艺厚度;2.有源层宽度与阈值关系;3.腔长L与的关系;三.温度;②内量子效率

T↑Auger(CHHS)过程复合系数↑↑复合损失↑↓

③内部载流子和光子的损耗

T↑越过势垒载流子泄漏↑

InGaAsP/InP300K时漏电流占1/3总I;长波长InGaAsP/InP的<短波长

GaAlAs/GaAs

①Auger非辐射复合严重

②小，载流子热泄漏严重;四.波长与的关系;§5.2半导体激光器的效率;定义有关效率并讨论影响效率的因素

1.功率效率;对理想LD，阈值以上的电压是不变的（很小）

↑V－I曲线斜率↑

2.内量子效率;异质结的界面态，杂质和缺陷引起的非辐射复合。

长波长LD的Auger复合↓

3.外量子效率

为了反应光子在腔内的散射、衍射和吸收

;4.外微分量子效率

又称斜率效率，直观地比较不同LD之间效率差别

有源区光：;结合内η：

讨论：

①高→高

②减少光子地腔内损耗

③腔长L↓↑，但↑

④R↑↓，但使↓;§5.3半导体激光器的远场特性;近场分布：解理面上的光路分布

远场分布：距输出腔面一定距离

目的：耦合、存储

问题：很大30～50℃，10～20℃

原因：LD有源区横截面不对称和很小的线度;一.垂直于结平面的发散角;半强度点对应的光束发散角（半角）

全角

由;;二.平行于结平面方向上的发射角;三.波导结构对远场的影响;§5.4半导体激光器的模式特性;目的：在大容量、单模光纤通信系统中，要

求LD单纵模工作，存储、耦合中LD单

纵模工作

TE横模

LD中光场TEmng

TM纵模;一.纵横模谱;纵模频率：

纵模功率：速率方程;自发发射因子

增益

为峰值??益抛物线拟合因子

在稳态下：;从一个解理面出射功率

w:条宽E:用J表示光子能量;二.影响纵模模谱的因素;2.注入电流的影响

I↑模式竞争效应↑次模饱和↑单模性↑

因LD为均匀加宽由模式竞争单模

3.腔长的影响

腔长↓纵模数↓(DFB,DBR-LD等除外);三.激光器的单纵模工作条件;由

讨论：λ↓、γ↑，腔长↓，R↑，侧向折射

率波导结构（k=1）→次模↓

→单纵模工作;由

要想单模输出

→应可能小;为LD单模工作条件

由单模LD输出功

率下线→12.8dB

→边模抑止比（SMR）≤12.8dB

DBFSMR≤30dB;四.“空间烧孔”效应对单模功率的限制;当主模与最临近纵模之间增益差＝Δg时

→开始空间烧洞

可求出烧洞所限最大单模功率;②电子空穴扩散率D↑工作范围↑;五.温度对模谱的影响;六.获得单纵模LD的方法;a.

b.光栅周期对称分布

①在周期光栅中引入的相移

②DBF单纵模输出

输出端AR非输出端HR

1％90％;③引入一个无光栅的区域靠近某一腔面

④光栅中引入