《半导体光电子学》第4章异质结半导体激光器.pptx

第4章异质结半导体激光器;§4.1概述;一.形成激光器的具备条件;二.LD的分类;条形

②依电极或有源层的宽窄划分

宽面

应变LD

③依据有源区是否存在应变

无应变LD;1967年用液相外延生长出

异质结（单异质结）

1970年双异质结LD→条形LD

70代中期，DBF（分布反馈）、DBR（分布布拉格反射）、QWLD;§4.2光子在谐振腔中的振荡;增益：向有源区中注入浓度较高的电子，获得粒子数反转，复合产生光子。

①腔中的散射吸收本征吸收

损耗②本征吸收

③输出损耗;一.阈值条件;Γ：z方向上的复传播常数

为消光系数

为广义损耗系数;腔内维持稳定振荡的条件

为电场在腔内反射系数

带入条件;振幅条件

相位条件

由振幅条件

当时

R：30～32％LD解理面;讨论：

①有源区提供的增益必须克服内部损耗

②必须克服输出损耗;由

超过阈值电流用来产生受激发射，→激光输出将随电流线性增加。;二.相位条件;§4.3同质结及异质结激光器;§4.3.1同质结;有源区：

①空间电荷区→外加电场可忽略

②p型材料中e的扩散区→外加电场时同质结的有源区

③n型材料中h的扩散区→外加电场时可忽略;

同质结LD在垂直于pn结方向上的折射率分布，增益分布，光强分布;二.同质结激光器与温度T的关系

高且随T发生剧烈变化

1.T↑↑p区电子扩散区lh↑

中和↑反转↓维持↑

2.T↑光波导效应↓光场限制↓

↑;3.T↑激射长波长↑（λ红移）↑

光子在p区吸收增加光子损耗↑

↑;§4.3.2单异质结LD;二.优点：

①当P-GaAs层厚度小于一个电子扩散长度，层内非平衡少数载流子增长

②异质结折射率差形成光波导效应，减少光子损耗

③工艺简单，只多一次外延;三.缺点

①pn同质结电子注入效率低

②pn同质结对有源层的空穴扩散没限制

③对光子微弱光波导效应;§4.3.3双异质结LD;③还能利用异质结产生光波导效应，而且对称性好

④有源层无需重掺杂就可以使非平衡电子浓度比注入源区（N）高（超注入）

⑤阈值电流密度下降;§4.4条形LD;一.条形LD;2.条形LD的制作

①条形电极→光刻方法

②内部形成窄电流通路;侧向上对少数载流子扩散限制;二.条形LD中侧向电流扩展和侧向载流子扩散;2.侧向载流子扩散

非平衡少数载流子在由中心向两侧形成的浓度梯度作用下侧向扩散。

3.限制电流扩展，载流子扩散

①形成侧向高阻区

②反向PN结

③深锌扩散;三.条形LD的波导结构;弱折射率引导激光器;（二）肋波导Lasers;强折射率引导Lasers;①平面有源层掩埋异质结Lasers;②非平面有源层掩埋异质结Lasers;2.增益波导

利用有源区侧向的复介电常数的虚部的变化，侧向增