《半导体光电子学》第2章异质结.ppt

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一般的GaAs长4个异质结(7~8层),不同材料α不同,在一定温度下a:a;因而由晶格匹配(T1)不匹配。生长温度下必须保证晶格匹配的实现,同时用弹性应变的形式弥补由温度变化产生的失配位错。五.晶格不匹配对器件性能的影响界面上的悬挂键充当陷阱中心、复合中心吸收载流子,注入效率下降,量子效率下降。界面态悬挂键参与非辐射复合,量子效率下降。器件长期工作可靠性下降,温度特性退化。§2.4对注入激光器异质结材料的要求一.从激光波长选择LD材料LD须是直接带隙材料(经验)GaAlAs:Eg大0.65~0.9μmInGaAsP:Eg小1.1~1.7μm3.Eg的选择与计算①三元化合物1.424+1.247xx0.45→直接带隙跃迁0.45x1→间接带隙跃迁不能用GaAlAs产生λ0.65μm②四元化合物利用弗伽定律③的要求,(要一定的禁带宽度台阶)电子空穴GaAlAs:80~85%防电子泄漏效果好InGaAsP:30~40%但↑,不可能任意提高重掺杂会使带隙收缩,使LD波长红移二.从晶格匹配来考虑异质结LD材料分析图2.4-2①二元化合物用点描述InSb,InAs②三元化合物用线描述GaAlAs,InGaAl③四元化合物用线包围的区域描述④实线表示直接带隙⑤波浪线表示间接带隙⑥InP横直线表示晶格匹配的材料GaAsInGaAs/InP1.0~1.7μm1.0~1.1μm实际无材料△Ec太小,对电子基本无限制传统的材料:0.65~0.91.1~1.7μm90年代0.4→2μm蓝远红外1.48μm(噪声大)0.98EDFA三.由光波导效应来选择LD材料1.双异质结有源层折射率高,两边限制层n低光子限制,要求3~7%2.Eg与定性关系组分x↑Eg↑x↑↓↓Eg↑3.与组分关系①:②a.塞尔迈耶公式(考虑色散)b.弗伽公式c.与InP匹配的InGaAsPn:3.4~3.6光纤1.45~1.5③的简单测量误差0.2%正入射4.与掺杂浓度(双异质结LD有源区不高掺杂,单异质结LD掺杂)掺杂浓度↑n↓5.与载流子注入关系载流子注入增加n↓6.与LD结温度关系T↑↑四.衬底材料的考虑1.晶格匹配尽可能的晶格常数一致尽可能的相同原子2.衬底尽可能少的缺陷3.工艺相容性§2.5异质结对载流子的限制一.异质结势垒对电子与空穴的限制异质结势垒是由结两边材料带宽度差分别在两带形成的台阶、

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