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SemiconductorMaterials

1.1EnergyBandsandCarrierConcentration

1.1.1SemiconductorMaterials

?固态材料可分为三种：绝缘体、半导体和导体。图1－1给出了在三种材料中某些重要材料有关电阻值（相应电导率ρ≡1/δ)。绝缘体如熔融石英和玻璃具备很低电导率，在10-18到10-8S/cm;

?导体如铝和银有高电导率，典型值从104到106S/cm;而半导体具备电导率介乎于两者之间。半导体电导率普通对温度、光照、磁场和小杂质原子非常敏感。在电导率上敏感变化使得半导体材料称为在电学应用上为最重要材料。

?早在19世纪人们已经开始研究半导体材料。近年来人们研究了诸多半导体材料。表1给出了与半导体有关周期表中某些元素。由单种元素构成单质半导体如硅和锗在第Ⅳ族。而大量化合物半导体有两个甚至更多元素构成。如GaAs是Ⅲ-Ⅴ化合物是由Ⅲ族Ga和Ⅴ族As化合而得。

?在1947年双极晶体管创造之前，半导体仅用作双极型器件如整流器和光敏二极管。早在20世纪50年代，锗是重要半导体材料。

?然而锗不太适合在诸多方面应用由于温度恰当提高后锗器件会产生高漏电流。此外，锗氧化物是水溶性不适合器件制作。因此20世纪60年代事实上锗被硅所取代，事实上硅代替锗成为半导体制作材料之一。

?咱们用硅材料重要因素有硅器件存在非常低漏电流且可以通过热法生长出高质量二氧化硅。器件级硅成本远少于其他半导体材料。硅以硅石和硅酸盐形式存在并占地球地表层25％，并且硅元素在分布中排在氧之后第二位。当今硅是在元素周期表中研究最多元素；硅技术是在所有半导体技术中最先进。

?有诸多化合物半导体具备硅所缺少电光性能。这些半导体特别是GaAs重要用作微波和光学应用。虽然咱们理解化合物半导体技术不如硅材料多，但化合物半导体技术由于硅技术发展而发展。在本书中咱们重要简介硅和砷化镓器件物理和制备技术。

?咱们研究半导体材料是单晶，也就是说，原子是按照三维周期形式排列。在晶体中原子周期排列称为晶格。在晶体里，一种原子从不远离它拟定位置。与原子有关热运动也是环绕在其位置附近。对于给定半导体，存在代表整个晶格晶胞，通过在晶体中重复晶胞构成晶格。

?图1－2给出某些立方晶体晶胞。图1－2（a）给出了一种简朴立方晶体；立方晶格每个角由一种原子占据，因此有6个等距原子。a大小称为晶格常数。只有金属钋明确是单立方晶体。图1－2（b）是体心立方晶体，除了8个角原子外，一种原子在其立方中心上。

?在体心立方晶格中，每个原子具备8个相近原子。呈bcc晶格晶体涉及钨和钠晶体。图1－2（c）给出了面心立方晶体除了8个角原子外六个立方面上尚有一种原子。在fcc晶格中每个原子有12相邻原子。大量元素是fcc晶格形式，涉及铝、铜、金和铂。

元素半导体如硅和锗具备金刚石晶体构造。这种构造属于金刚石构造并且视为两个互相贯穿fcc亚点阵构造，这个构造具备一种可以从其他沿立方对角线距离四分之一处移动子晶格（位移。）

?在金刚石晶体所有原子都相似，且在金刚石晶体均有在四周体角上四个等距相近原子所包围。多数每个原子Ⅲ-Ⅴ化合物半导体具备闪锌矿构造，它有金刚石相似构造除了一种fcc子晶格构造有一种Ⅲ族原子Ga和Ⅴ族原子As。

?因而，不同面晶体特性也不同，且电和其他器件特性依赖于晶体取向。一种惯用定义在晶体中不同晶面办法是用密勒指数。

?如1.1.2节所述，在金刚石构造每个原子被4个相邻原子所包围。每个原子在外轨道具备4个电子，并且每个电子与相邻原子共享价电子；每对电子构成一种共价键。共价键存在于同种原子之间或具备相似外层电子机构不同元素原子间。每个电子与每个原子核达到平衡需要相似时间。

?然而，所有电子需要诸多时间在两个原子核间达到平衡。两个原子核对电子吸引力保证两个原子在一起。对于闪锌矿构造如砷化镓重要价键引力重要来自于共价键。固然，砷化镓也具备小离子键引力即Ga+离子与四周As-离子,或As-离子和四周Ga+离子.

?在低温下，电子束缚在它们各自四周体晶格中；从而不能用来导电。当一种价键断开，一种自由电子能参加电路导电。一种电子空位留在共价键中。这个空位被相邻电子填充导致空位移动，如A到B位置。咱们可以空位认同于与电子相似粒子。这个假想粒子称为空穴。

它带有正电荷在外加电场下，沿着电子运动方向相反地方移动。空穴概念类似电子概念。空穴概念类似于液体中泡沫定义。虽然它确可与液体流动，这很容易想到泡沫移动是向相反方向。

?对于孤立原子，原子电子有不持续能级。如，孤立氢原子能级可由玻尔模型得出：

?式中m0代表自由电子质量，q是电荷量,ε0是真空中电导率，h是普朗克常数，n是正整数称为主量子