半导体器件基础.ppt

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下篇数字电子技术一、信号消息(Message)：?人们常常把语言、文字、图像或数据等统称为消息。消息涉及的内容极其广泛，包括天文、地理、历史、政治、经济、科技、文化等。消息可以通过书信、电话、广播、电视、互联网等多种媒体或方式进行发布和传输。信号（Signal）指消息的表现形式与传送载体，消息是信号的传送内容。一般表现为随时间变化的某种物理量或物理现象。例如电信号传送声音、图像、文字等。1.确定性信号和随机信号连续信号，若存在：离散信号，若存在则称和为周期信号。T，N分别为它们的周期。若知道了周期信号一个周期内的变化过程，就可以确定整个定义域内的信号取值。3.连续时间信号和离散时间信号连续时间信号它的描述函数的定义域是连续的，即信号存在的时间范围内，任意时刻都有定义，用t表示连续时间变量。离散时间信号描述函数的定义域是某些离散点的集合，函数只是在某些离散点上才有定义。这些离散点在时间轴上可以均匀分布，也可以不均匀分布，用n表示离散时间变量。连续时间和离散时间信号例子：1.1.2电子系统概述根据放大电路输入信号的条件和对输出信号的要求，放大器可分为四种类型，所以有四种放大倍数的定义。半导体二极管的型号国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：2AP9用数字代表同类型器件的不同型号用字母代表器件的类型，P代表普通管用字母代表器件的材料，A代表N型GeB代表P型Ge，C代表N型Si，D代表P型Si2代表二极管，3代表三极管2、变容二极管半导体三极管的型号（补充）国家标准对半导体三极管的命名如下：3DG110B用字母表示同一型号中的不同规格用数字表示同种器件型号的序号用字母表示器件的种类用字母表示材料三极管第二位：A表示锗PNP管、B表示锗NPN管、C表示硅PNP管、D表示硅NPN管第三位：X表示低频小功率管、D表示低频大功率管、G表示高频小功率管、A表示高频小功率管、K表示开关管。补充：判断三极管工作状态的三种方法。②漏源电压uDS对漏极电流id的控制作用当uGS＞UT，且固定为某一值时，来分析漏源电压VDS对漏极电流ID的影响。（设UT=2V，uGS=4V）②转移特性曲线：iD=f(uGS)?uDS=const重点掌握电位判定方法和结偏置判定方法。辅以课后练习。本章重点：PN结及其单向导电性解释什么是负温度系数和正温度系数）OuDS/ViD/mA5V2V0V–2VuGS=2V0V–2V–5VN沟道结型SGDiDSGDiDP沟道结型uGS/ViD/mA5–5OIDSSVPOuDS/ViD/mA5V2V0VuGS=0V–2V–5V2.4.3场效应管的主要参数开启电压VT(增强型)夹断电压VP(耗尽型)指uDS=某值，使漏极电流iD为某一小电流时的uGS值。VTVP2.饱和漏极电流IDSS耗尽型场效应管，当uGS=0时所对应的漏极电流。IDSSuGS/ViD/mAOUGS(th)UGS(off)3.直流输入电阻RGS指漏源间短路时，栅、源间加反向电压呈现的直流电阻。JFET：RGS107?MOSFET：RGS=109?1015??IDSSuGS/ViD/mAO4.低频跨导gm反映了uGS对iD的控制能力，单位S(西门子)。一般为几毫西(mS)uGS/ViD/mAQOPDM=uDSiD，受温度限制。5.漏源动态电阻rds6.最大漏极功耗PDM一、两种半导体和两种载流子两种载流子的运动电子—自由电子空