测量学和缺陷检查.pptVIP

感谢大家观看第92页,共92页，2024年2月25日，星期天********第三步是重复第一步的C-V曲线图。如果在Si与SiO2界面有聚集的正离子沾污，要使电容中的电荷相等就要求施加更负的电压。第三步的曲线与第一步曲线的偏差就是电压漂移（Vs），可以通过它来计算氧化物中沾污离子的数量。最后一步是验证。加热衬底使沾污离子离开硅与二氧化硅的界面，再次进行C-V测试，如果产生最初的图形，证明电压漂移是沾污离子产生的而不是氧化物充电。第60页,共92页，2024年2月25日，星期天在n型硅中的电压漂移0-2-3-5-4-10+1+2+3+4+5Cmax偏压电容N型硅的C-V曲线CminDV第61页,共92页，2024年2月25日，星期天十一.接触角度接触角度仪用于测量液体与硅片表面的粘附性，并计算表面能或粘附性力。这种测量表征了硅片表面的参数，比如疏水性、清洁度、光洁度和粘附性（见图5.5）。第62页,共92页，2024年2月25日，星期天接触角接触角小滴衬底第63页,共92页，2024年2月25日，星期天视频光学接触角测量仪第64页,共92页，2024年2月25日，星期天5.3分析设备本节介绍支持硅片生产的主要分析设