SJ 21450-2018 集成电路陶瓷封装 圆片减薄工艺技术要求.pdf

中华人民共和国电子行业标准

FL6130SJ21450-2018

集成电路陶瓷封装

圆片减薄工艺技术要求

Integratedcircuitceramicpackage-

Technicalrequirementforwafer-thinningprocess

SJ21450-2018

目。吕

本标准的附录A为资料性附录。

本标准由中国电子科技集团公司提出。

本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口。

本标准起草单位：中国电子科技集团公司第五十八研究所。

本标准主要起草人：李守委、李云海、肖汉武、朱卫良、常乾、王燕婷。

SJ21450-2018

集成电路陶瓷封装圆片；戚薄工艺技术要求

1范围

本标准规定了集成电路圆片减薄工艺（以下简称减薄工艺）的一般要求和减薄工艺所涉及的原材料、

设备、工艺流程、关键控制点及检验的详细要求。

本标准适用于12英寸及以下尺寸集成电路圆片（不含带凸点圆片）的减薄工艺。

2规范性引用文件

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的

修改单（不包含勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可

使用这些文件的最新版本。凡是不注明日期的文件，其最新版本适用于本标准。

GB厅25915.1-2010洁净室及相关受控环境第1部分：空气洁净度等级

GIB548B-2005微电子器件试验方法和程序

GIB3007防静电工作区技术要求

3术语和定义

GIB548B-2005确立的以及下列术语和定义适用于本标准。

3.1

表面粗糙度roughness

圆片减薄加工表面上具有的较小间距和峰谷所组成的微观几何形状特性。

3.2

损伤层damagedlayer

损伤层是由磨轮金刚石颗粒与圆片之间机械摩擦造成；由减薄面逐步向内过渡，最外层是粗糙碎裂

的表面结构，中间区域是由最外层带来的裂纹及其引伸微裂纹组成，再向内为由微裂纹延伸形成的弹性

形变区域。

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E·E

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SJ21450-2018

3.3

片内厚度均匀性totalthicknessvariance(TTV)

国片片内5点（参考图2中1-5区域中间位置选取）或9点（参考图2中1-9区域中间位置选取〉位置厚

度，最高点与最低点的差值。

3.4

片间厚度均匀性wafertowafer(WTW)

同批次图片减薄后，不同抽样圆片所有片内5点（参考图2中1-5区域中间位置选取〉或9点（参考图

2中1-9区域中间位置选取）位置厚度，最高点与最低点的差值。

3

87

412

96

5

a)九宫格选点法

b)＋字选点法

图2测量点选取位置图

4