MOSFET漏源电压谷底时刻微分检测法.pdfVIP

MOSFET漏源电压谷底时刻微分检测法

王亮，张波，丘东元

（华南理工大学电力学院，广州市邮编：510640）

电子邮件：s.wl@live.cn

DifferentialDetectionMethodofMOSFETDrain-sourceVoltageValleyTime

WangLiang,ZhangBo,QiuDongyuan

（SchoolofElectricPowerSCUT,Guangzhou510640）

ABSTRACT:AdvantagesofQuasi-SquareWaveFlyback如果在任何输入电压和负载情况下，MOSFET都在

Converters,notedasQRconverters,weregiveninthispaper.谐振电压的谷底开通，那么工作于这种模式的反激

MethodandweaknesstocatchvalleytimeofcurrentQR变换器称为准谐振反激变换器。

Flybackcontrollerswasanalyzed.Differentialdetectionof

Drain-SourceVoltagetocatchDrain-Sourcevoltagevalleywas

D

providedthatcanrealizeopeningMOSFETatvalleytime.NpNsCRL

SimulationandexperimentprovedthatthismethodcanbeVin

realized.

Q1

KEYWORD:Quasi-Resinant;FlybackConverter;

DemagnetizationDetection;DifferentialDetection;Valley

Voltage图1反激变换器

Fig1FlybackConverter

摘要：本文介绍了在反激式变换器中引入准谐振技术的优

点，分析了现有反激式电源管理芯片实现准谐振的去磁检测

vDS

方法及其缺陷，提出了一种基于MOSFET漏源电压微分的电

压谷底检测方法，实现了MOSFET的谷底开通。最后进行了

仿真和实验，证明了该方法的可行性。

谷底

关键词：准谐振；反激变换器；去磁检测；微分检测；谷底

Ot

电压

图2DCM模式下，MOSFET漏源电压波形

1引言

Fig2Drain-SourceVoltageofMOSFETinDCM

由