半导体激光器的主要性能.ppt

的电阻1欧），L1为引线电感（1-2nH），Cs为旁路电容（0.3-1pF）。选择并控制Cs和L1可明显抑制类谐振现象。第31页,共35页，2024年2月25日，星期天4.5.7半导体激光器的热特性引发机制：在半导体激光器中，由于不可避免的存在着各种非辐射复合损耗、自由载流子吸收等损耗机制，使其外微分量子效率只能达到20%-30%，意味着相当部分注入的电功率转换成了热量，引起激光器的温升。结果导致使LD的阈值电流增大、发射波长红移、模式不稳定、增加内部缺陷、并严重影响器件的寿命。解决办法： 1）加风扇或者冷水循环降温； 2）使用帕尔贴半导体制冷器。 （通过控制帕尔贴制冷器的工作电流实现LD的温度稳定，见下图）第32页,共35页，2024年2月25日，星期天3.8半导体激光器的可靠性第33页,共35页，2024年2月25日，星期天 二、可靠性试验为保证LD在应用中能有较长的工作寿命，生产厂家必须按照规范标准对LD进行一系列例行试验。诸如机械振动、冲击、环境方面的潮湿、静电、高低温循环等。重要的一条是持续较长时间的寿命（老化）试验。第34页,共35页，2024年2月25日，星期天感谢大家观看第35页,共35页，2024年2月25日，星期天关于半导体激光器的主要性能4.5半导体激光器的主要性能1、阈值特性2、效率3、空间模式4、纵模5、线宽6、动态特性7、热特性8、可靠性第2页,共35页，2024年2月25日，星期天4.5.1阈值特性阈值是所有激光器的属性，标志着增益和损耗的平衡点。阈值常用电流密度Jth或者电流Ith表示。影响激光器阈值特性的主要因素： 1）器件结构 2）有源区材料 3）器件工作温度1）器件结构的影响不同的器件结构阈值电流有很大不同。有源区的材料必须选用直接带隙材料，材料的组分变化将会引起直接带隙和间接带隙跃迁的比率发生变化，从而改变辐射频率的波长。故：可通过薄膜生长工艺获得不同的有源材料。2）有源层材料的影响第3页,共35页，2024年2月25日，星期天3）温度的影响温度变化对阈值电流产生明显的影响，温度升高，阈值电流增大，增大幅度因材料体系和器件结构而异。实验经验公式为： Jth(T)=Jth(Tr)exp((T-Tt)/T0)Jth(T)、Jth(Tr)分别为在某一温度T和室温Tr下所测得阈值电流密度，T0是一个由实验拟合的参数，称为特征温度。且：当To?∞时，阈值电流将不随温度变化，故提高To是一个重要研究内容。阈值电流对温度的依赖关系主要来自于下列因素： 1）增益系数； 2）载流子的俄歇复合，载流子的界面态和表面态的复合，载流子吸 收引起的内部损耗； 3）热载流子的漏泄。第4页,共35页，2024年2月25日，星期天阈值电流的测定？测定方法有四种：1）直线拟合法2）两段直线拟合法3）一次微分法4）二次微分法第5页,共35页，2024年2月25日，星期天描述激光器电子--光子转换的效率，即电能转变为光能的效率。分别用功率效率和外微分量子效率描述。1）功率效率4.5.2半导体激光器的效率第6页,共35页，2024年2月25日，星期天第7页,共35页，2024年2月25日，星期天第8页,共35页，2024年2月25日，星期天2）外微分量子效率而其中的定义为斜率效率：第9页,共35页，2024年2月25日，星期天4.5.3半导体激光器的空间模式分为空间模和纵模（轴模），空间模是描述围绕着输出光束轴线附近某处的光强分布（或空间几何位置上的光强分布），亦称为远场分布。有横模与侧模之分（如下图所示）。纵模则是一种频谱，表示所发射的光束功率在不同频率（波长）分量上的分布。第10页,共35页，2024年2月25日，星期天第11页,共35页，2024年2月25日，星期天1）半导体激光器的光束发散角第12页,共35页，2024年2月25日，星期天第13页,共35页，2024年2月25日，星期天解决办法：利用自聚焦透镜对出射光进行准直。第14页,共35页，2024年2月25日，星期天2）半导体激光器的像散第15页,共35页，2024年2月25日，星期天4.5.4半导体激光器的纵模1）产生原因：注：入=1.24/Eg