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高κ叠栅AlGaN/GaNMOS-HEMT特性研究的开题报告

一、研究背景

随着信息技术的快速发展，高速、高功率功率器件的需求日益增长。在研发新型功率器件的过程中，高κ介电材料具有广泛的应用前景，它可以提高器件的高频性能和可靠性，并且可以扩大器件的工作温度范围，提高器件的稳定性和工作寿命。

而AlGaN/GaNMOS-HEMT是高效功率放大器和高频器件领域的重要代表，其具有噪声低、速度快、功率高等优点，在广泛的应用中得到了证明。然而，AlGaN/GaNMOS-HEMT器件在工艺过程中会产生大量的界面态，这些界面态会导致器件的性能下降，因此高κ介电材料在AlGaN/GaNMOS-HEMT器件中的应用受到了广泛的关注。

二、研究目的

本研究旨在探究高κ介电材料在AlGaN/GaNMOS-HEMT器件中的应用，通过制备半绝缘AlGaN/GaNMOS-HEMT器件，并在其中引入高κ介电层，研究高κ介电层对器件性能的影响，最终实现提高器件的高频性能和可靠性的目的。

三、研究内容

（1）半绝缘AlGaN/GaNMOS-HEMT器件制备：采用分子束外延和微纳加工技术制备AlGaN/GaNMOS-HEMT器件，并对器件进行电学测试。

（2）高κ介电材料引入：采用物理气相沉积技术将高κ介电材料引入AlGaN/GaNMOS-HEMT器件中。

（3）性能测试：对引入高κ介电材料的AlGaN/GaNMOS-HEMT器件进行电学测试，比较引入高κ介电材料前后的器件性能，探究高κ介电层对器件性能的影响。

四、研究意义

本研究将能够为AlGaN/GaNMOS-HEMT器件的工艺改进和性能提升提供理论基础和实验数据支撑，有助于拓展高效功率放大器和高频器件的应用领域。同时，研究成果还能够为其他功率电子器件的性能提升提供参考。