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Cu掺杂GaN基稀磁半导体的第一性原理研究的开题报告

一、研究背景和意义

稀磁半导体是一种同时具有磁性和半导体特性的材料，具有广泛的应用前景，在自旋电子学、高效照明等诸多领域都有着广泛的应用。其中，Cu掺杂GaN基稀磁半导体具有优良的光电性能和稀磁性能，且具有可调控的磁性和光学性质，尤其是在照明领域具有很高的应用价值。然而，目前对其物理性质及其相互作用机制的研究还不够深入，需要进一步的研究探索。

二、研究内容和研究目的

本研究将通过第一性原理计算的方法，研究Cu掺杂GaN基稀磁半导体的结构、电子结构、磁性和光学性质，并探讨Cu掺杂对其性质的影响以及Cu、N、GaN之间的相互作用机制。具体包括以下三个方面：

1.研究GaN基稀磁半导体的基本性质，包括晶格常数、能带结构等；

2.通过Cu掺杂来调控GaN基稀磁半导体的电磁性质，包括磁性、磁矩等；

3.分析Cu、N、GaN之间相互作用的物理机制，探讨其对GaN基稀磁半导体电子结构和光学特性的影响。

三、研究方法

本研究将采用第一性原理计算的方法，主要工具为VASP软件包。首先确定结构模型，对其进行晶格优化和电子结构计算；然后引入Cu掺杂，通过计算原子磁矩和磁性能，探讨其对GaN基稀磁半导体的影响；最后，通过Mulliken电荷分析等方法，研究Cu、N、GaN之间的相互作用机制。

四、研究进度安排

本研究计划在以下几个方面展开工作：

1.2021年6月-7月，收集相关文献，了解GaN基稀磁半导体的基本性质和Cu掺杂对其物理性质的影响。

2.2021年8月-9月，构建GaN基稀磁半导体的结构模型，进行晶格优化和电子结构计算。

3.2021年10月-11月，引入Cu掺杂，计算磁性和磁矩，并探讨Cu掺杂对GaN基稀磁半导体的影响。

4.2021年12月-2022年1月，通过Mulliken电荷分析等方法，研究Cu、N、GaN之间的相互作用机制。

5.2022年2月-3月，系统总结实验结果，起草论文，准备答辩材料。

五、预期成果

本研究计划通过第一性原理计算的方法，研究Cu掺杂GaN基稀磁半导体的电子结构、磁性和光学性质，并探索Cu、N、GaN之间相互作用的物理机制，预期成果包括：

1.对Cu掺杂GaN基稀磁半导体的电子结构、磁性和光学性质进行深入分析；

2.探索Cu、N、GaN之间相互作用的物理机制，深入了解其对材料性质的影响；

3.发表研究论文，为稀磁半导体及其在照明、自旋电子学等领域的应用提供理论支持。