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AlGaN/GaNHEMT电流崩塌的实验研究的开题报告

【摘要】

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）由于其高电子迁移率而成为了高功率RF应用中的重要元件。然而，在高功率工作状态下，HEMT会出现电流崩塌的现象，导致电流饱和和其它不良效应。本研究旨在实验研究AlGaN/GaNHEMT电流崩塌现象的发生和机理，并探索减轻电流崩塌的方法。

【关键词】AlGaN/GaNHEMT，电流崩塌，机理，减轻方法

【研究背景】

AlGaN/GaNHEMT是一种高电子迁移率晶体管，广泛应用于高功率射频（RF）应用领域，如通信、雷达、卫星通信等。然而，当HEMT在高功率工作状态下，其输出电流会出现电流崩塌的现象，即输出电流将不再随着输入信号的增加而线性增加，而是会变得饱和或者下降。这种电流崩塌现象极大地限制了HEMT的功率效率和可靠性，因此成为了制约HEMT应用的重要难题之一。

【研究目的】

本研究的目的是通过实验研究，探究AlGaN/GaNHEMT电流崩塌现象的发生机理以及可能存在的物理机制。同时，探索减轻电流崩塌的方法，提高HEMT的功率效率和可靠性，为HEMT应用提供参考。

【研究内容】

本研究将主要从以下几个方面进行实验研究：

1.AlGaN/GaNHEMT器件制备及基本参数测试：本研究将采用标准的金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺制备AlGaN/GaNHEMT器件，并进行常见参数测试，如电流-电压（I-V）特性，输岀功率等。

2.AlGaN/GaNHEMT电流崩塌测试：本研究将通过高功率输入信号和不同工作温度下的电流测试，观察和记录电流崩塌的时空特征，以进行现象的分析和物理机制的探究。

3.电场与载流子浓度测试：本研究将通过电荷浓度-电场（n-E）测试，来测量HEMT内部载流子的分布和浓度，以判断电场和载流子竞争对电流崩塌的影响。

4.减轻电流崩塌的方法：本研究将通过调制材料、器件结构等方面，探索减轻电流崩塌的方法，如HEMT多结构、半绝缘层引入等。

【预期成果】

本研究的预期成果为：

1.深入了解AlGaN/GaNHEMT电流崩塌现象的发生机理和物理机制；

2.提供可实用的电流崩塌测试方法和分析手段；

3.指导减轻电流崩塌的方法的寻找和优化。

【研究意义】

本研究的意义在于，通过深入地研究AlGaN/GaNHEMT电流崩塌现象的发生机理和物理机制，并探讨减轻电流崩塌的方法，为AlGaN/GaNHEMT在高功率射频应用中的推广和应用提供科学依据和技术支持。同时，该研究也有助于深入了解AlGaN/GaN器件本质特征和电学特性。