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AlGaN基p-i-n日盲紫外探测器及阵列制作的工艺研究的开题报告

标题：AlGaN基p-i-n日盲紫外探测器及阵列制作的工艺研究

研究背景与意义：

近年来，随着生物医学、环境监测等领域的需求逐渐加强，紫外探测器得到了广泛的应用。AlGaN是一种较为理想的材料，其能够实现在大约200到400nm之间的日盲探测，这也是其他材料所无法实现的。因此，研究AlGaN基的日盲紫外探测器及阵列制作工艺，有着非常重要的意义。

研究内容：

1.研究p-i-n结构的制备工艺，包括材料选择、沉积过程控制等。

2.研究p-i-n结构的光学、电学性能，包括光谱响应特性、暗电流密度、量子效率等。

3.研究阵列制作工艺，包括阵列排列设计、焊接等。

4.测试AlGaN基p-i-n日盲紫外探测器及阵列性能，包括响应时间、空间分辨率等。

研究方法：

1.通过热解、分子束外延等技术制备AlGaN材料。

2.利用光谱仪、暗电流测试系统等仪器，对制备的p-i-n结构的光学、电学性能进行测试分析。

3.通过电子束光刻、离子束刻蚀等工艺制作探测器阵列。

4.利用探测器测试系统对AlGaN基p-i-n日盲紫外探测器及阵列性能进行测试。

研究预期成果：

通过研究，预计可以制备出性能优良、工艺稳定的AlGaN基p-i-n日盲紫外探测器及阵列。同时，也可对AlGaN材料在紫外成像、光通信等领域的应用进行研究和推广。