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GMR传感器的微加工制作的开题报告

开题报告：GMR传感器的微加工制作

一、研究背景

GiantMagnetoresistance（GMR）是一种磁阻效应，由AlbertFert和PeterGrunberg在1988年共同发现。GMR材料在外磁场作用下，电阻率发生了明显变化，这种变化与磁场强度成反比例关系。GMR材料因其在磁场中的特殊性质，已被广泛应用于磁性储存器、传感器、电动汽车和MRI等领域。

传感器是一种能够将外部物理量转换成电信号的器件。由于GMR材料对磁场敏感，因此可用于制作磁场传感器。在现代工业中，磁场传感器已广泛应用于磁测量、磁导航、磁记录等领域。如何提高磁场传感器的测量精度和响应速度是当前研究的热点问题。

二、研究目的

本研究的目的是利用微加工技术制备GMR传感器，并优化其性能，提高其响应速度和测量精度。具体研究内容包括以下几个方面：

1.利用微加工技术制备GMR材料，并优化其磁场响应特性。

2.设计和制作GMR传感器的电路，并测试其电学性质。

3.通过磁场测量实验，评估GMR传感器的性能。

三、研究方法

1.GMR材料制备：采用物理气相沉积（PVD）或磁控溅射等方法，制备具有GMR效应的薄膜材料。

2.微加工技术：基于硅片微加工工艺，采用光刻、并排工艺等技术，制作GMR传感器的结构和电路。

3.实验测试：利用磁场源、电测量仪器等设备，对制备的GMR传感器进行磁场测量和电特性测试，并对实验数据进行分析和评估。

四、研究进度安排

本研究的具体进度安排如下：

1.3月份完成GMR材料的制备和性质分析。

2.4-5月份完成GMR传感器的微加工制备和电路设计。

3.6-7月份进行GMR传感器的电学性质测试和优化。

4.8-9月份进行磁场测量实验，并评估GMR传感器的性能。

5.10月份撰写论文并完成论文答辩。

五、研究意义

本研究将通过微加工技术制备GMR传感器，将实验室中的理论研究应用到实际生产中。制备的GMR传感器将有望应用于磁测量、磁导航、磁记录等领域，为实现高精度和高速度的磁场测量提供新的技术手段。此外，本研究还将拓宽GMR材料的应用领域，为相关科研和工业应用提供新的灵活性和可行性。