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CVD法制备SiC一维纳米材料影响因素的数值模拟研究的开题报告

1.研究背景与意义：

随着纳米科技的不断发展，一维纳米材料因其特殊的电学、热学、光学及力学性质等方面的优异性能引起广泛关注。SiC作为广泛应用的材料，在一维纳米材料领域也具有很高的潜力。通过CVD法可制备纳米线、纳米棒、纳米管等一维纳米材料，但其性能受很多因素的影响，如反应温度、气流流速、前驱体浓度、载气种类等，因此对CVD法制备SiC一维纳米材料影响因素进行数值模拟研究有助于更好地理解其形成机制，提高其制备效率和质量。

2.研究内容：

本文拟利用计算流体力学（CFD）对半导体工艺中的CVD反应进行数值模拟，探究反应条件对制备SiC一维纳米材料形貌和性能的影响。具体包括以下内容：

（1）建立数学模型，描述CVD反应过程中SiC一维纳米材料的生长过程。

（2）构建CFD模型，对反应过程进行数值模拟。

（3）分析反应条件对SiC一维纳米材料的形貌和性能的影响，包括温度、气流流速、前驱体浓度、载气种类等。

（4）优化反应条件，得到制备SiC一维纳米材料的最佳条件。

3.研究方法：

本研究主要采用计算流体力学（CFD）方法对反应过程进行数值模拟，建立SiC一维纳米材料生长的数学模型，探究反应条件对其形貌和性能的影响，并通过优化反应条件，得到制备SiC一维纳米材料的最佳条件。具体步骤如下：

（1）建立SiC一维纳米材料的反应模型，包括化学反应过程和传质过程。

（2）采用实验数据验证建立的模型的正确性。

（3）采用CFD方法对反应过程进行数值模拟，包括通过FLUENT软件模拟SiC一维纳米材料的气相传热和动量传递过程，以及通过CHEMKIN软件模拟SiC沉积过程中的表面反应过程。

（4）通过数值模拟，分析反应条件对SiC一维纳米材料的形貌和性能的影响，并探究最佳制备条件。

4.预期成果：

（1）建立SiC一维纳米材料的反应模型。

（2）采用数值模拟方法，探究反应条件对SiC一维纳米材料形貌和性能的影响。

（3）优化反应条件，得到制备SiC一维纳米材料的最佳条件。

（4）提高SiC一维纳米材料的制备效率和制备质量。

5.参考文献：

（1）Lian,J.,Wang,Z.L.(2006).One-dimensionalnanostructuresofSiC:synthesis,characterisationandapplications.Journalofmaterialschemistry,16(45),4409-4416.

（2）Zhao,X.,Ding,W.,Qiu,J.,Li,Y.,Li,W.,Chen,G.(2017).Selectivegrowthof1DSiCnanostructuresbychemicalvapordeposition.Nanoscaleresearchletters,12(1),561.

（3）Zhao,X.,Li,Y.,Li,W.,Qiu,J.,Zhang,G.,Chen,G.(2018).Growthmechanismof1DSiCnanostructuresbychemicalvapordeposition.MaterialsLetters,220,236-239.